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채널길이에 대한 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석 = Analysis of Subthreshold Swing for Channel Length of Asymmetric Double Gate MOSFET
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-
저자
정학기 (군산대학교) ; Jung, Hakkee
- 발행기관
- 학술지명
- 권호사항
-
발행연도
2015
-
작성언어
Korean
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등재정보
KCI등재
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자료형태
학술저널
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401-406(6쪽)
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다국어 초록 (Multilingual Abstract)
The change of subthreshold swing for channel length of asymmetric double gate(DG) MOSFET has been analyzed. The subthreshold swing is the important factor to determine digital chracteristics of transistor and is degraded with reduction of channel. The subthreshold swing for channel length of the DGMOSFET developed to solve this problem is investigated for channel thickness, oxide thickness, top and bottom gate voltage and doping concentration. Especially the subthreshold swing for asymmetric DGMOSFET to be able to be fabricated with different top and bottom gate structure is investigated in detail for bottom gate voltage and bottom oxide thickness. To obtain the analytical subthreshold swing, the analytical potential distribution is derived from Possion's equation, and Gaussian distribution function is used as doping profile. As a result, subthreshold swing is sensitively changed according to top and bottom gate voltage, channel doping concentration and channel dimension.
The change of subthreshold swing for channel length of asymmetric double gate(DG) MOSFET has been analyzed. The subthreshold swing is the important factor to determine digital chracteristics of transistor and is degraded with reduction of channel. The subthreshold swing for channel length of the DGMOSFET developed to solve this problem is investigated for channel thickness, oxide thickness, top and bottom gate voltage and doping concentration. Especially the subthreshold swing for asymmetric DGMOSFET to be able to be fabricated with different top and bottom gate structure is investigated in detail for bottom gate voltage and bottom oxide thickness. To obtain the analytical subthreshold swing, the analytical potential distribution is derived from Possion's equation, and Gaussian distribution function is used as doping profile. As a result, subthreshold swing is sensitively changed according to top and bottom gate voltage, channel doping concentration and channel dimension.
참고문헌 (Reference)
1 정학기, "급수함수를 이용한 비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포 분석" 한국정보통신학회 17 (17): 2621-2626, 2013
2 N. Seoane, "Random Dopant, Line-Edge Roughness and Gate Workfunction Variability in a Nano InGaAs FinFETs" 61 (61): 466-472, 2006
3 S. Dimitrijev, "Principles of Semiconductor Devices" Oxford University Press 2012
4 J. B. Roldan, "In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs" 79 (79): 179-184, 2013
5 R. Vaddi, "Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of an underlap DGMOSFET with tied independent gate and symmetric asymmetric options" 42 (42): 798-807, 2011
6 Z. Ding, "An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs" 42 : 515-519, 2011
7 J. P. Duarte, "A nonpiecewise model for long-channel junctionless cylindrical nanowire FETs" 33 (33): 155-157, 2012
8 P. K. Tiwari, "A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG)MOSFETs With Vertical Gaussian Doping Profile" 52-55, 2009
1 정학기, "급수함수를 이용한 비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포 분석" 한국정보통신학회 17 (17): 2621-2626, 2013
2 N. Seoane, "Random Dopant, Line-Edge Roughness and Gate Workfunction Variability in a Nano InGaAs FinFETs" 61 (61): 466-472, 2006
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분석정보
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| 2018-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | |
| 2017-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (계속평가) |  |
| 2013-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
| 2011-11-23 | 학술지명변경 | 외국어명 : THE JOURNAL OF The KOREAN Institute Of Maritime information & Communication Science -> Journal of the Korea Institute Of Information and Communication Engineering | |
| 2011-11-16 | 학회명변경 | 영문명 : International Journal of Information and Communication Engineering(IJICE) -> The Korea Institute of Information and Communication Engineering | |
| 2011-11-14 | 학회명변경 | 한글명 : 한국해양정보통신학회 -> 한국정보통신학회영문명 : 미등록 -> International Journal of Information and Communication Engineering(IJICE) | |
| 2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
| 2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
| 2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
| 2004-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | |
| 2002-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | |
학술지 인용정보
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