FLR 구조의 1.2kV급 4H-SiC MOSFET 제작과 특성에 관한 연구 = Fabrication and Characterization of a 1.2kV 4H-SiC MOSFET with a Field Limiting Ring (FLR) Structure

목차 (Table of Contents)

• Ⅰ.서론 1
• 1. 연구 배경 및 목적 1
• 2. SiC 물성적 특성 6
• 3. SiC MOSFET 개요 12
• 4. SiC MOSFET 구조 및 동작 원리 18
• 5. 성능 평가용 PiN Diode 개요 22
• Ⅱ. SiC MOSFET 설계 및 제작 24
• 1. 시뮬레이션 기반 구조 설계 24
• 1) 활성영역(Active area) 설계 26
• 2) 종단 구조(Edge termination) 설계 29
• 2. 주요 단위 공정 31
• 1) 이온주입 하드마스크 31
• 2) 게이트 산화막 형성 37
• 3) Ohmic contact 공정 39
• 3. 소자 제작 45
• 1) FLR 검증용 PiN 다이오드 제작 45
• 2) SiC MOSFET 소자 제작 48
• Ⅲ. 전기적 특성 측정 및 평가 방법 51
• Ⅳ. 실험 결과 및 고찰 53
• 1. 시뮬레이션 결과 분석 53
• 1) SiC MOSFET 활성영역 전기적 특성 53
• 2) FLR 구조의 종단영역 전기적 특성 57
• 2. 제작 소자의 전기적 특성 분석 61
• 1) PiN 다이오드의 FLR 구조에 따른 전기적 특성 61
• 2) SiC MOSFET의 전기적 특성 65
• Ⅴ. 결론 및 향후 연구 75
• 1. 결론 75
• 2. 향후 연구 방향 77
• Reference 79