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      전도성 그래핀 페이스트로 제작된 전극을 이용한 완전탄소 기반 플렉시블 전계효과 트랜지스터 = Flexible all-carbon field effect transistor comprising electrodes fabricated from conductive graphene paste

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      https://www.riss.kr/link?id=A106319561

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      국문 초록 (Abstract)

      탄소나노물질인 탄소나노튜브와 그래핀은 높은 전하 이동도, 화학적 안정성, 훌륭한 유연성 등의 우수한 특성을가지고 있으므로 유연한 전자장치 개발에 활발히 연구되고 있다. 본 논문에서는 전도성 그래핀 페이스트 용액 공정을이용하여 FET의 소스, 드레인 전극을 제작하였으며, 채널층 제작을 위해 SWCNT(Single-walled cabon nanotube)를 사용하였다. 제작된 유연한 전계 효과 트랜지스터는 P형 특성을 나타내며 저전압에서 동작한다. 측정 결과에 의하면 본 논문의FET는 3.73cm2/Vs의 이동도를 보였으며, 이는 기존의 CNT기반 FET의 약 12배 정도의 높은 수치이다.
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      탄소나노물질인 탄소나노튜브와 그래핀은 높은 전하 이동도, 화학적 안정성, 훌륭한 유연성 등의 우수한 특성을가지고 있으므로 유연한 전자장치 개발에 활발히 연구되고 있다. 본 논문에...

      탄소나노물질인 탄소나노튜브와 그래핀은 높은 전하 이동도, 화학적 안정성, 훌륭한 유연성 등의 우수한 특성을가지고 있으므로 유연한 전자장치 개발에 활발히 연구되고 있다. 본 논문에서는 전도성 그래핀 페이스트 용액 공정을이용하여 FET의 소스, 드레인 전극을 제작하였으며, 채널층 제작을 위해 SWCNT(Single-walled cabon nanotube)를 사용하였다. 제작된 유연한 전계 효과 트랜지스터는 P형 특성을 나타내며 저전압에서 동작한다. 측정 결과에 의하면 본 논문의FET는 3.73cm2/Vs의 이동도를 보였으며, 이는 기존의 CNT기반 FET의 약 12배 정도의 높은 수치이다.

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Carbon nanotubes and graphene are nanocarbon materials that possess several properties such as high charge mobility, chemical stability, and excellent flexibility, and they are actively studied for developing flexible electronic devices. In this study, source and drain electrodes were fabricated by employing a conductive graphene paste solution-based process, and single-walled carbon nanotubes were incorporated in the channel layer. The fabricated flexible field effect transistor (FET) indicated p-type characteristics and required a low voltage for operation. Furthermore, evaluation results demonstrated that the fabricated FET had an effective mobility of 3.73cm2/Vs, which is twelve times the effective mobility of a conventional carbon-nanotube-based FET.
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      Carbon nanotubes and graphene are nanocarbon materials that possess several properties such as high charge mobility, chemical stability, and excellent flexibility, and they are actively studied for developing flexible electronic devices. In this study...

      Carbon nanotubes and graphene are nanocarbon materials that possess several properties such as high charge mobility, chemical stability, and excellent flexibility, and they are actively studied for developing flexible electronic devices. In this study, source and drain electrodes were fabricated by employing a conductive graphene paste solution-based process, and single-walled carbon nanotubes were incorporated in the channel layer. The fabricated flexible field effect transistor (FET) indicated p-type characteristics and required a low voltage for operation. Furthermore, evaluation results demonstrated that the fabricated FET had an effective mobility of 3.73cm2/Vs, which is twelve times the effective mobility of a conventional carbon-nanotube-based FET.

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      참고문헌 (Reference)

      1 강석희, "플렉시블/웨어러블 일렉트로닉스 최신 연구동향" 대한용접접합학회 32 (32): 34-42, 2014

      2 B. C. Kang, "Solution-processed single-wall carbon nanotube transistor arrays for wearable display backplanes" 8 (8): 015305-, 2018

      3 H. Koo, "Scalability of carbon-nanotube-based thin film transistors for flexible electronic devices manufactured using an all roll-to-roll gravure printing system" 5 : 2015

      4 N. Seong, "Low-voltage single-walled carbon nanotube thin-film transistors fabricated by low-temperature solution-process" 79-81, 2015

      5 S. Y. Jeong, "Highly concentrated and conductive reduced graphene oxide nanosheets by monovalent cation-π interaction: Toward printed electronics" 22 (22): 3307-3314, 2012

      6 B. J. Kim, "High-performance flexible graphene field effect transistors with ion gel gate dielectrics" 10 (10): 3464-3466, 2010

      7 F. Sajed, "All-printed and transparent single walled carbon nanotube thin film transistor devices" 103 (103): 143303-, 2013

      8 S. K. Lee, "All graphene-based thin film transistors on flexible plastic substrates" 12 (12): 3472-3476, 2012

      1 강석희, "플렉시블/웨어러블 일렉트로닉스 최신 연구동향" 대한용접접합학회 32 (32): 34-42, 2014

      2 B. C. Kang, "Solution-processed single-wall carbon nanotube transistor arrays for wearable display backplanes" 8 (8): 015305-, 2018

      3 H. Koo, "Scalability of carbon-nanotube-based thin film transistors for flexible electronic devices manufactured using an all roll-to-roll gravure printing system" 5 : 2015

      4 N. Seong, "Low-voltage single-walled carbon nanotube thin-film transistors fabricated by low-temperature solution-process" 79-81, 2015

      5 S. Y. Jeong, "Highly concentrated and conductive reduced graphene oxide nanosheets by monovalent cation-π interaction: Toward printed electronics" 22 (22): 3307-3314, 2012

      6 B. J. Kim, "High-performance flexible graphene field effect transistors with ion gel gate dielectrics" 10 (10): 3464-3466, 2010

      7 F. Sajed, "All-printed and transparent single walled carbon nanotube thin film transistor devices" 103 (103): 143303-, 2013

      8 S. K. Lee, "All graphene-based thin film transistors on flexible plastic substrates" 12 (12): 3472-3476, 2012

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      2020-01-01 학술지명변경 외국어명 : JOURNAL OF THE KOREAN SOCIETY OF MARINE ENGINEERING -> Journal of Advanced Marine Engineering and Technology KCI등재
      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-07-07 학술지명변경 외국어명 : JOURNAL OF THE KOREAN SOCIETY OF MARINE ENGINEERS -> JOURNAL OF THE KOREAN SOCIETY OF MARINE ENGINEERING KCI등재
      2006-04-07 학술지명변경 한글명 : 한국박용기관학회지 -> 한국마린엔지니어링학회지 KCI등재
      2006-04-07 학술지명변경 한글명 : 한국박용기관학회지 -> 한국마린엔지니어링학회지 KCI등재
      2006-04-07 학술지명변경 한글명 : 한국박용기관학회지 -> 한국마린엔지니어링학회지 KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-06-16 학회명변경 한글명 : 한국박용기관학회 -> 한국마린엔지니어링학회
      영문명 : 미등록 -> The Korean Society of Marine Engineering
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      2003-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2002-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
      2001-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.34 0.34 0.35
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.32 0.29 0.428 0.08
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