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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      SiC/C 경사기능재료(FGM)의 합성을 위한 SiC/C 분율 조절 = The Control of SiC/C Ratio for the Synthesis of SiC/C Functionally Gradient Materials

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      https://www.riss.kr/link?id=A106127750

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      The most important techniques in the synthesis of SiC/C function gradient material (FGM) are to control the SiC/C ratio and to obtain the moderate deposition rate. For these, various gas systems and flow rates were attempted and evaluated. It turned out that the CH4＋SiCl4＋H2 system was suitable for the deposition of SiC-rich layers, the C3H8＋SiCl4＋Ar system for the deposition of carbon-rich layers, and the C3H8＋SiCl4＋H2＋Ar system was good to deposit the layers between them.
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      The most important techniques in the synthesis of SiC/C function gradient material (FGM) are to control the SiC/C ratio and to obtain the moderate deposition rate. For these, various gas systems and flow rates were attempted and evaluated. It turned o...

      The most important techniques in the synthesis of SiC/C function gradient material (FGM) are to control the SiC/C ratio and to obtain the moderate deposition rate. For these, various gas systems and flow rates were attempted and evaluated. It turned out that the CH4＋SiCl4＋H2 system was suitable for the deposition of SiC-rich layers, the C3H8＋SiCl4＋Ar system for the deposition of carbon-rich layers, and the C3H8＋SiCl4＋H2＋Ar system was good to deposit the layers between them.

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