http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
First-Principles Study of the As-Mediated Growths of Si and Ge on Si(100
Ko, Y.-J.; Chang, K. J.; Yi, J.-Y.; Park, S.-J. World Scientific 1996 p.) 77-80
Energetics and Structure of the Stable and Unstable Biatomic Step Edges of Si(001)
Van Dijken, S.; Zandvliet, H. J. W.; Poelsema, B. World Scientific 1996 p.15-20
Ab-Initio MD Studies of the Structure of C(111): nII Surfaces
Kern, G.; Hafner, J.; Kresse, G. World Scientific 1996 p.49-54
Kusunoki, I.; Ishidzuka, S.; Igari, Y.; Takaoka, T. World Scientific 1996 p.81-84
Halogen Interaction with the Ge(111) and Ge(100) Surfaces
Goethelid, M.; Le Lay, G.; Wigren, C.; Bjoerkqvist, M. World Scientific 1996 p.119-124
Elastic Strain Relaxation in Si~1~-~xGe~x Layers Epitaxially Grown on Si Substrates
Berbezier, I.; Gallas, B.; Derrien, J. World Scientific 1996 p.133-138
Epitaxial Growth of Sb/Ce/Si(111) Studied by Photoelectron Diffraction
Westphal, C.; Soekeland, F.; Dreiner, S.; Zacharias, H. World Scientific 1996 p.151-156
The (� x �)R30�Reconstructed 6H-SiC(0001): A Semiconducting Surface
Forbeaux, I.; Themlin, J.-M.; Langlais, V.; Yu, L. M. World Scientific 1996 p.193-198
Growth of the Organic Molecular Semiconductor PTCDA on Se-Passivated GaAs(100): An STM Study
Kendrick, C.; Kahn, A. World Scientific 1996 p.289-294
Scanning Force Microscopy Study of Ultrathin Films of Nickel-Phthalocyanine on Graphite
Santucci, S.; Di Nardo, S.; Lozzi, L.; Ottaviano, L. World Scientific 1996 p.433-436
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
구글의 Page Rank 알고리즘의 영향을 받아 전체 인용 네트워크에서 노드에 점수를 매기는 방식으로, 명성이 높은 저널에서의 인용은 고득점으로 평가되어 같은 인용이라도 보다 높게 평가 됩니다. 또한 저널의 주제분야, 질과 명성이 모두 직접 영향을 미치는 평가 지료라고 할 수 있습니다.
Scopus 데이터의 인용정보를 활용하여 산출되며, Scopus에 등재되지 않은 OA 저널평가에도 유용합니다.