실리콘과 코발트 박막의 계면구조에서 발생하는 l/f 잡음현상 연구

국문 초록 (Abstract)

실리콘 모재 위에 증착된 코발트 박막의 l/f 잡음 발생 메카니즘을 미시적 관점에서 살펴보았다. 코발트 박막은 p형 (100) 실리콘 위에 고진공에서 전자빔 증착기술에 의해 준비되었으며, 코발트 박막에 대한 표면저항 측정 및 전자회절 패턴 관찰과 더불어 l/f잡음전력 스펙트럼밀도를 액체질소 온도에서 측정하였다. 측정된 잡음전력 스펙트럼 밀도는 계면박막의 구조적인 전환 영역과 금속성 성질로의 전환 영역에서 가장 큰 값을 나타냈으며, 다결정의 코발트 실리사이드가 핵생성된 후 잡음밀도의 크기는 10^(-4)배 이하로 급격히 감소하였다. 이 잡음변수는 계면박막의 구조적 불안정성을 나타냄을 알 수 있었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

We present a microscopic description for generation of l/f noise in interfaces between cobalt thin film and silicon substrate. Along with surface resistance measurements and transmission electron diffraction observations, l/f noise power spectral density has been measured for the interfacial structures at the liquid nitrogen temperature. The cobalt films have been deposited by the electron-beam evaporation technique onto p-type (100) silicon in the high vacuum condition. The measured noise power spectral density shows highest magnitude near the structural transition and metallization transition region. The noise magnitude rapidly decreased after the cobalt silicide nucleation. The noise parameter is concluded to be originated from the structural fluctuations.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• Abstract
  
• 1. 서론
  
• 2. 실험방법
  
• 3. 실험결과와 고찰
  
• 4. 결론
  
• 감사의 글
  
• 참고문헌