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    ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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    Low GWP 대체 가스를 이용한 라디칼 모듈의 원자층 식각공정 메커니즘 연구 = Research on Atomic Later Etching Process and Mechanism Using Low GWP Etching Gas

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    https://www.riss.kr/link?id=A109025906

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    본 연구에서는 GWP (Global Warming Potential)가 낮은 대체 가스 중 하나인 C4H2F6 가스를 선택하여 원자층 식각(Atomic layer etch) 공정에 적용하였다. 식각 과정 중 중요한 factor인 C4H2F6의 라디칼 활용성을 높이기 위해서 라디칼 발생 모듈을 사용하였으며, 모듈이 식각 공정에 미치는 효과에 관한 연구를 수행하였다. 라디칼 모듈을 통해서 추출된 C4H2F6의 라디칼을 SiO2 기판 표면에 흡착시키는 조건과 원자층 식각 과정 사이의 메커니즘에 대해서 논의하였다. 이를 위해서 라디칼 모듈을 이용한 식각 전후 표면 분석은 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 및 Atomic Force Microscopy (AFM) 그리고 식각 두께 등 물리적 변화는 엘립소메트리(Ellipsometry)를 이용하여 관찰 및 측정하였다. ALE 공정은 흡착 시간에 따라 EPC가 4.24에서 7.69까지 증가함을 관찰하였다. XPS를 이용한 표면 분석을 통해서 흡착 시간이 증가함에 따라서 cyclic ALE 공정 후 식각 표면에 존재하는 C와 F 비율은 증가한 것을 관찰 하였으며, AFM을 이용한 표면 분석을 통해 라디칼의 흡착 여부와 ALE 공정 후의 EPC와의 상관관계를 확인할 수 있었다
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    본 연구에서는 GWP (Global Warming Potential)가 낮은 대체 가스 중 하나인 C4H2F6 가스를 선택하여 원자층 식각(Atomic layer etch) 공정에 적용하였다. 식각 과정 중 중요한 factor인 C4H2F6의 라디칼 활용성...

    본 연구에서는 GWP (Global Warming Potential)가 낮은 대체 가스 중 하나인 C4H2F6 가스를 선택하여 원자층 식각(Atomic layer etch) 공정에 적용하였다. 식각 과정 중 중요한 factor인 C4H2F6의 라디칼 활용성을 높이기 위해서 라디칼 발생 모듈을 사용하였으며, 모듈이 식각 공정에 미치는 효과에 관한 연구를 수행하였다. 라디칼 모듈을 통해서 추출된 C4H2F6의 라디칼을 SiO2 기판 표면에 흡착시키는 조건과 원자층 식각 과정 사이의 메커니즘에 대해서 논의하였다. 이를 위해서 라디칼 모듈을 이용한 식각 전후 표면 분석은 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 및 Atomic Force Microscopy (AFM) 그리고 식각 두께 등 물리적 변화는 엘립소메트리(Ellipsometry)를 이용하여 관찰 및 측정하였다. ALE 공정은 흡착 시간에 따라 EPC가 4.24에서 7.69까지 증가함을 관찰하였다. XPS를 이용한 표면 분석을 통해서 흡착 시간이 증가함에 따라서 cyclic ALE 공정 후 식각 표면에 존재하는 C와 F 비율은 증가한 것을 관찰 하였으며, AFM을 이용한 표면 분석을 통해 라디칼의 흡착 여부와 ALE 공정 후의 EPC와의 상관관계를 확인할 수 있었다

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