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      SiGe을 소스 접합 물질로 사용하는 터널링 전계효과 트랜지스터의 성능 및 짧은 채널 효과 분석

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      참고문헌 (Reference)

      1 장정식, "터널링 전계효과 트랜지스터의 불순물 분포 변동 효과" 대한전자공학회 49 (49): 179-183, 2012

      2 강인만, "터널링 전계효과 트랜지스터의 고주파 파라미터 추출과 분석" 대한전자공학회 49 (49): 1-6, 2012

      3 Y. Yang, "Tunneling Field-Effect Transistor:Capacitance Components and Modeling" 31 (31): 752-754, 2010

      4 A. M. Ionescu, "Tunnel Field-Effect Transistors as Energy-Efficient Electronic Switches" 479 (479): 329-337, 2011

      5 J. W. Slotboom, "The PN Product in Silicon" 20 (20): 279-283, 1977

      6 P. G. D. Agopian, "Temperature impact on the tunnel fet off-state current components" 78 (78): 141-146, 2012

      7 Young Jun Yoon, "Sub-10 nm Ge/GaAs Heterojunction-Based Tunneling Field-Effect Transistor with Vertical Tunneling Operation for Ultra-Low-Power Applications" 대한전자공학회 16 (16): 172-178, 2016

      8 S. Cho, "Silicon-compatible compound semiconductor tunneling field-effect transistor for high performance and low standby power operation" 99 (99): 243505-1-243505-1, 2011

      9 M. E. Law, "Self-Consistent Model of Minority-Carrier Lifetime, Diffusion Length, and Mobility" 12 (12): 1991

      10 S. M. Sze, "Physics of Semiconductor Devices 3rd edition" Wiley-Interscience 17-20, 2006

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      2014-12-11 학술지명변경 외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea -> Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-10-17 학술지명변경 한글명 : 대한전자공학회 논문지 -> 전자공학회논문지 KCI등재
      2005-05-27 학술지등록 한글명 : 대한전자공학회 논문지
      외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea
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      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
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      2016 0.27 0.27 0.25
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.22 0.19 0.427 0.09
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