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RISS 인기검색어
SiGe strained layer를 이용한 MESFET의 설계와 제작에 관한 연구
한글로보기부가정보
국문 초록 (Abstract)
단일 또는 이중 δ도핑 채널을 이용한 MESFET을 컴퓨터 시물레이션을 통해 설계하였다 δ도핑 채널 구조는 벌크 채널에 비해 전류 구동 능력과 transconductance, 그리고 switching 특성 등에서 모두 뛰어난 성능을 보여 주었다. 이는 δ도핑층에서 넘쳐나온 전자가 도핑 농도가 낮은 분리층에 쌓여 전류 흐름에 기여하기 때문이다. 이중 δ도핑 채널 MESFET의 경우 설계 파리미터 중에서 분리두께와 δ도핑층의 농도비를 simulation을 통해 최적화 하였고 채널 도핑 농도의 변화로 원하는 pinch-off 전압과 cutoff 전압을 얻을 수 있다.
단일 또는 이중 δ도핑 채널을 이용한 MESFET을 컴퓨터 시물레이션을 통해 설계하였다 δ도핑 채널 구조는 벌크 채널에 비해 전류 구동 능력과 transconductance, 그리고 switching 특성 등에서 모두 뛰어난 성능을 보여 주었다. 이는 δ도핑층에서 넘쳐나온 전자가 도핑 농도가 낮은 분리층에 쌓여 전류 흐름에 기여하기 때문이다. 이중 δ도핑 채널 MESFET의 경우 설계 파리미터 중에서 분리두께와 δ도핑층의 농도비를 simulation을 통해 최적화 하였고 채널 도핑 농도의 변화로 원하는 pinch-off 전압과 cutoff 전압을 얻을 수 있다.
분석정보
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