Study on random telegraph noise in GaN light-emitting diodes|RISS 상세보기

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예시)

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https://www.riss.kr/link?id=T12385674

저자

강태욱
발행사항
서울 : 서울대학교 대학원, 2011
학위논문사항

학위논문(석사) -- 서울대학교 대학원 , 협동과정 나노과학기술전공 , 2011.2
발행연도
2011
작성언어
독일어
주제어

발광 다이오드 ; 저주파 잡음 ; 트랩 ; 디펙트 ; 활성화 에너지 ; Random Telegraph Noise ; RTN ; Low Frequency Noise ; LFN ; Trap ; Defect ; Activation Energy. GaN LED ; Light-Emitting Diodes
DDC
620.43 판사항(22)
발행국(도시)
서울
기타서명
GaN light-emitting diodes의 RTN 연구
형태사항
iv, 34 leaves : ill ; 26 cm
일반주기명

includes bibliographical references
DOI식별코드
10.23170/snu.000000029634.11032.0000477
소장기관
- 서울대학교 중앙도서관