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    Sputtering을 이용한 TiN 박막의 성장 = A Preparation of TiN Films using Sputtering

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    Titanium nitride(TiN) films on the SiO₂ substrate were prepared by R.F.(radio frequency) magnetron sputtering method. The effects of N2 addition on the growth characteristic of TiN films were studied using the SEM(scanning electron microscopy) and EDS(energy dispersion spectroscopy). We found that the grains of TiN films have the cubic structure, the grain sizes were slightly changed with N₂ gas pressure. The control of Nzpartial pressure is an effective mean on qualities of TiN films and the chemical composition ratio between Ti and nitrogen atom is 0.148.
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    Titanium nitride(TiN) films on the SiO₂ substrate were prepared by R.F.(radio frequency) magnetron sputtering method. The effects of N2 addition on the growth characteristic of TiN films were studied using the SEM(scanning electron microscopy) and E...

    Titanium nitride(TiN) films on the SiO₂ substrate were prepared by R.F.(radio frequency) magnetron sputtering method. The effects of N2 addition on the growth characteristic of TiN films were studied using the SEM(scanning electron microscopy) and EDS(energy dispersion spectroscopy). We found that the grains of TiN films have the cubic structure, the grain sizes were slightly changed with N₂ gas pressure. The control of Nzpartial pressure is an effective mean on qualities of TiN films and the chemical composition ratio between Ti and nitrogen atom is 0.148.

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    목차 (Table of Contents)

    • Abstract
    • Ⅰ. 서론
    • Ⅱ. 실험방법
    • Ⅲ. 결과 및 고찰
    • Ⅳ. 결론
    • Abstract
    • Ⅰ. 서론
    • Ⅱ. 실험방법
    • Ⅲ. 결과 및 고찰
    • Ⅳ. 결론
    • 참고문헌
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