RFID 칩 구동을 위한 NMOS 전류미러형 브리지 정류기의 설계

국문 초록 (Abstract)

본 논문에서는 유효한 DC 전압을 얻기 위해 요구되는 최소입력전압이 충분히 낮으면서도 소비전력이 기존의 정류기 보다 낮은 새로운 NMOS 전류미러형 브리지 정류기를 제안하였다. 설계된 정류기는 13.56 ㎒의 HF (for ISO 18000-3)부터 915 ㎒의 UHF (for ISO 18000-6) 및 2.45 ㎓의 마이크로파 대역 (for ISO 18000-4)까지의 전 주파수 범위에 대해 RFID Transponder에 내장된 마이크로 칩을 구동하기에 충분히 높고 잘 정류된 직류전압을 공급 할 수 있다. 제안된 NMOS 정류기의 출력특성은 고주파 등가회로를 이용하여 해석하였으며, 동작 주파수 증가에 따른 게이트 누설전류를 효과적으로 감소시킬 수 있는 회로적 방법을 이론적으로 제시하였다. 이러한 방법을 사용하여 설계된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 3V 피크-투-피크 업력전압과 45 ㏀ 부하저항에서 100 ㎼의 소비전력 특성과 2.13V의 DC 출력전압이 구해졌다. 제안된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 기존의 정류기에 비해 UHF 및 마이크로파 대역에서도 안정적으로 동작하며, 보다 우수한 특성들을 보였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

In this paper, a new NMOS current-mirror type bridge rectifier for driving RFID chips, whose minimum input voltage required to obtain the effective DC output voltage is low enough and whose power dissipation can be reduced than that of conventional one, is proposed. The designed rectifier is able to supply high enough and well-rectified DC voltages to drive RFID transponder chips for the frequency range of 13.56 ㎒ HF(for ISO 18000-3), 915 ㎒ UHF(for ISO 18000-6), and 2.45 ㎓ microwave(for ISO 18000-4). Output characteristics of the proposed rectifier are analyzed with the high frequency equivalent circuit. And the circuitry method for effective reducing of the gate leakage current due to the increasing of operating frequency is also proposed theoretically. Using this method, the power consumption of 100 ㎼ and the DC output voltage of 2.13V for 3V peak-to-peak input voltage and 45 ㏀ load resistance are obtained. Compared to conventional one, the proposed rectifier operates in more stable and shows superior characteristics in UHF and microwave frequencies.

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