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    FTES/O_2 방법에 의한 SiOF 박막 형성 = Formation of SiOF Thin Films by FTES/O_2-PACVD

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    https://www.riss.kr/link?id=E685102

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    0.18㎛급 소자에 응용 가능한 금속 충간 절연막인 SiOF 박막율 FTES와 O_2를 precursor로하여 PECVD법으로 제조하였다. 그리고 형성된 SiOF 박막에 대한 bonding mode, 조성비, 귤절율 emdd의 조사를 통한 화학적, 물리적 특성과 C-V와 I-V측정을 통한 유전상수, 누설전류, breakdown voltage 등의 전기적 특성을 고려하였다. 아울러 박막의 두께와 step coverage를 SEM 조사를 통하여 고찰하였으며, 휨 특성도 조사하였다.

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    0.18㎛급 소자에 응용 가능한 금속 충간 절연막인 SiOF 박막율 FTES와 O_2를 precursor로하여 PECVD법으로 제조하였다. 그리고 형성된 SiOF 박막에 대한 bonding mode, 조성비, 귤절율 emdd의 조사를 통한 화...

    0.18㎛급 소자에 응용 가능한 금속 충간 절연막인 SiOF 박막율 FTES와 O_2를 precursor로하여 PECVD법으로 제조하였다. 그리고 형성된 SiOF 박막에 대한 bonding mode, 조성비, 귤절율 emdd의 조사를 통한 화학적, 물리적 특성과 C-V와 I-V측정을 통한 유전상수, 누설전류, breakdown voltage 등의 전기적 특성을 고려하였다. 아울러 박막의 두께와 step coverage를 SEM 조사를 통하여 고찰하였으며, 휨 특성도 조사하였다.

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    목차 (Table of Contents)

    • 제1장 서론
    • 제2장 실험 및 방법
    • 제3장 SioF박막특성
    • 제4장 결론
    • 참고문헌
    • 제1장 서론
    • 제2장 실험 및 방법
    • 제3장 SioF박막특성
    • 제4장 결론
    • 참고문헌
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