고밀도 자기박막재료

국문 초록 (Abstract)

NiO/NiFe bilayer를 dual ion beam sputtering(IBS)으로 제작하였으며 이 bilayer의 exchange field를 향상시키기 위하여 여러 공정조건을 조사하였다. 이온빔 전압을 threshold 전압보다 크게하고 최적의 이온빔 전류를 선택하면 작은 입자크기의 평탄한 NiO 박막을 얻을수 있었다. 그리고 이와 같은 작은 입자를 가진 NiO 박막표면을 최적으로 에칭하여 만든 NiO/NiFe bilayer는 exchange field가 향상되어 100 Oe를 나타냈다.
그리고 NiO박막 형성과정 중에 이온충돌을 시키면 texture, 표면거칠기 및 입자크기가 바뀌었으나, texture보다는 입자크기 또는 그리고 표면거칠기가 exchange field를 향상시키는 데 중요한 역할을 하는 것으로 판면되었다.
나아가서 exchange field를 향상시키는 데는 최적의 에칭조건으로 에칭하는 것이 절대적으로 필요한 것으로 나타났다. 이렇게 최적으로 에칭된 NiO 박막표면은 표면편석된 불순물이 제거되었다. 이러한 NiO/NiFe bilayer의 exchange field와 coercivity는 MOKE hysterisis looper로 측정하였고 NiO 박막의 표면 상태는 AFM 과 AES로 조사하여였다.

목차 (Table of Contents)

• 초록
• 1. 서론
• 2. 실험방법
• 3. 결과 및 고찰
• 4. 결론
• REFERENCES