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      자기 버블 및 수직 블로흐 자선 기억 소자 재료

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      국문 초록 (Abstract)

      본 논문에서는 자기 버블 및 VBL 기억 소자의 기본적인 동작원리 및 사용되는 재료 특히 자기 가넷 박막의 설계와 제조과정을 살펴보았다. 자기 가넷의 가장 큰 장점중의 하나는 응용 분야에 따라 원하는 자기적 특성을 갖는 박막을 쉽게 성장시킬 수 있다는 장점이다. 그러나 현재의 결과로는 0.3.mu.m 이하의 직경을 갖는 버블 박막은 가넷을 이용하여서는 제조하기 힘들므로 그보다 작은 버블을 원하면 육방정계 페라이트나 비정질 합금을 이용하여야 할 것으로 보인다. VBL소자의 경우 0.5.mu.m직경의 버블로 1Gbit/$cm^{2}$의 기록 밀도가 예상되므로 가까운 장래에는 가넷이외의 재료를 생각할 필요는 없을 것이다. 현재의 연구 추세로는 0.3.mu.m직경의 버블을 이용한 버블 소자가 개발되면 또는 그 이전에라도 VBL 소자가 버블 소자를 대치할 것으로 보여 한동안 가넷이외의 재료에 대한 연구는 활발하지 않을 것으로 전망된다.
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      본 논문에서는 자기 버블 및 VBL 기억 소자의 기본적인 동작원리 및 사용되는 재료 특히 자기 가넷 박막의 설계와 제조과정을 살펴보았다. 자기 가넷의 가장 큰 장점중의 하나는 응용 분야에 ...

      본 논문에서는 자기 버블 및 VBL 기억 소자의 기본적인 동작원리 및 사용되는 재료 특히 자기 가넷 박막의 설계와 제조과정을 살펴보았다. 자기 가넷의 가장 큰 장점중의 하나는 응용 분야에 따라 원하는 자기적 특성을 갖는 박막을 쉽게 성장시킬 수 있다는 장점이다. 그러나 현재의 결과로는 0.3.mu.m 이하의 직경을 갖는 버블 박막은 가넷을 이용하여서는 제조하기 힘들므로 그보다 작은 버블을 원하면 육방정계 페라이트나 비정질 합금을 이용하여야 할 것으로 보인다. VBL소자의 경우 0.5.mu.m직경의 버블로 1Gbit/$cm^{2}$의 기록 밀도가 예상되므로 가까운 장래에는 가넷이외의 재료를 생각할 필요는 없을 것이다. 현재의 연구 추세로는 0.3.mu.m직경의 버블을 이용한 버블 소자가 개발되면 또는 그 이전에라도 VBL 소자가 버블 소자를 대치할 것으로 보여 한동안 가넷이외의 재료에 대한 연구는 활발하지 않을 것으로 전망된다.

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