반도체공학

목차 (Table of Contents)

• 목차
• 1장 물성론의 기초
• 1.1 하전입자 = 13
• 1.2 전자 볼트 = 17
• 1.3 전계 내의 전자운동 = 17
• 1.3.1 전자의 가속도운동 = 17
• 1.3.2 전자의 등가속도운동 = 18
• 1.4 CRT 내의 정전편향 = 21
• 1.5 자계 내의 전자운동 = 22
• 1.6 CRT 내의 자기편향 = 25
• 1.7 금속 내의 전류와 전류밀도 = 27
• 1.8 도전율과 이동도 = 28
• 1.9 결정체의 에너지대 = 29
• 1.9.1 에너지대 = 30
• 1.9.2 에너지대의 분류 = 31
• 1.10 절연체ㆍ반도체ㆍ도체 = 32
• 1.11 전자의 방출 = 34
• 연습문제 = 38
• 2장 반도체이론
• 2.1 결정의 결합 = 39
• 2.1.1 공유결합 = 39
• 2.1.2 이온 결합 = 40
• 2.1.3 금속결합 = 41
• 2.1.4 Van der Waals 결합 = 42
• 2.2 반도체의 성질 = 42
• 2.2.1 반도체의 기본성질 = 42
• 2.2.2 반도체 재료의 분류 = 43
• 2.3 진성반도체 = 44
• 2.3.1 실리콘 결정구조와 캐리어 = 44
• 2.3.2 진성반도체의 에너지대 구조 = 45
• 2.4 불순물반도체 = 45
• 2.4.1 n형 반도체 = 46
• 2.4.2 p형 반도체 = 47
• 2.4.3 화합물반도체 = 48
• 2.5 반도체의 도전율과 온도특성 = 49
• 2.5.1 도전율 = 49
• 2.5.2 온도특성 = 50
• 2.5.3 반도체의 Fermi 준위 = 52
• 2.6 캐리어의 확산운동 = 53
• 2.6.1 확산의 개념 = 54
• 2.6.2 Einstein의 관계식 = 56
• 2.7 소수 캐리어의 생성과 재결합 = 57
• 2.7.1 열생성과 재결합 = 57
• 2.7.2 불순물반도체에서의 캐리어 농도 = 59
• 2.8 Hall 효과 = 60
• 연습문제 = 63
• 3장 pn 접합이론
• 3.1 pn 접합의 기본특성 = 65
• 3.1.1 공간전하영역 = 65
• 3.1.2 접촉전위차 = 67
• 3.1.3 공간전하영역의 폭 = 69
• 3.1.4 공간전하영역의 전하밀도 = 70
• 3.2 전압이 인가된 pn 접합 = 72
• 3.2.1 순방향 바이어스 = 72
• 3.2.2 역방향 바이어스 = 73
• 3.3 반도체와 금속의 접합 = 74
• 3.3.1 두 금속의 접촉전위차 = 74
• 3.3.2 Ohm 접촉과 정류성 접촉 = 75
• 3.4 계단형접합과 경사형접합 = 78
• 3.5 접합의 법칙 = 79
• 3.6 접합 다이오드의 정특성 = 81
• 3.6.1 이상적인 정특성 = 82
• 3.6.2 실제적인 정특성 = 83
• 3.7 다이오드의 온도의존성 = 86
• 3.7.1 역포화전류의 온도특성 = 86
• 3.7.2 순바이어스 전류의 온도특성 = 87
• 3.8 다이오드의 저항 = 88
• 3.8.1 정저항 = 88
• 3.8.2 동저항 = 88
• 3.9 공간전하용량 = 91
• 3.10 확산용량 = 92
• 3.10.1 중성영역에서의 확산용량 = 93
• 3.10.2 소신호 모델과 확산용량 = 94
• 3.11 역바이어스된 pn접합의 절연파괴현상 = 95
• 3.11.1 애벌란치 항복 = 95
• 3.11.2 제너 항복 = 96
• 3.11.3 터널 효과 = 97
• 연습문제 = 100
• 4장 바이폴라 트랜지스터
• 4.1 접합 트랜지스터의 기본동작 = 101
• 4.1.1 기본구조 = 101
• 4.1.2 동작원리 = 102
• 4.2 전위장벽 및 소수 캐리어의 농도분포 = 103
• 4.2.1 바이어스 전압이 없는 경우 = 103
• 4.2.2 활성영역의 트랜지스터 = 104
• 4.3 트랜지스터의 전류성분 = 105
• 4.3.1 에미터 전류 = 105
• 4.3.2 베이스 전류 = 106
• 4.3.3 컬렉터 전류 = 107
• 4.3.4 일반적인 트랜지스터의 전류식 = 108
• 4.4 트랜지스터의 종류와 제조법 = 109
• 4.4.1 점접촉형 트랜지스터 = 110
• 4.4.2 접합형 트랜지스터 = 111
• 4.4.3 고출력 트랜지스터 = 115
• 4.5 트랜지스터 증폭기의 기본동작 = 116
• 4.5.1 증폭작용 = 116
• 4.5.2 소신호전류 증폭률 = 118
• 4.6 실제의 트랜지스터 특성 = 120
• 4.6.1 베이스폭 변조(Early 효과) = 121
• 4.6.2 접합의 항복현상 = 124
• 4.6.3 에미터 효율 = 125
• 4.6.4 베이스 분포저항 = 127
• 4.7 최대정격 = 129
• 4.8 트랜지스터의 전력손실 = 130
• 연습문제 = 133
• 5장 전계효과 트랜지스터
• 5.1 접합전계효과 트랜지스터 = 136
• 5.1.1 구조 및 동작원리 = 136
• 5.1.2 JFET의 전압-전류특성 = 138
• 5.1.3 전달특성 = 141
• 5.2 FET의 소신호 모델 = 142
• 5.2.1 FET의 3정수 = 142
• 5.2.2 소신호 모델 = 144
• 5.3 금속-산화막-반도체 FET = 145
• 5.3.1 증가형 n채널 MOSFET = 145
• 5.3.2 공핍형 n채널 MOSFET = 150
• 연습문제 = 152
• 6장 반도체응용소자
• 6.1 반도체 저항소자 = 153
• 6.1.1 더미스터의 분류와 구조 = 153
• 6.1.2 CTR와 정특성 더미스터 = 156
• 6.1.3 바리스터 = 157
• 6.1.4 piezo 저항소자 = 160
• 6.2 전력 스위칭용 반도체소자 = 162
• 6.2.1 pnpn 스위칭 다이오드 = 162
• 6.2.2 SCR = 166
• 6.2.3 TRIAC = 171
• 6.2.4 SSS = 173
• 6.2.5 SUS와 SBS = 175
• 6.2.6 SCS = 176
• 6.2.7 GTO = 176
• 6.2.8 UJT = 178
• 6.2.9 PUT = 181
• 6.3 마이크로파 송수신용 다이오드 = 183
• 6.3.1 쇼트키 다이오드 = 184
• 6.3.2 파라메트릭 다이오드 = 185
• 6.3.3 가변용량 다이오드 = 186
• 6.4 마이크로파 발진용 다이오드 = 188
• 6.4.1 IMPATT 다이오드 = 188
• 6.4.2 PIN 다이오드 = 190
• 6.4.3 건 다이오드 = 192
• 6.4.4 LSA 다이오드 = 194
• 6.4.5 backward 다이오드 = 195
• 연습문제 = 197
• 7장 열전 및 광전소자
• 7.1 반도체의 열전효과 = 199
• 7.1.1 Seebeck 효과 = 199
• 7.1.2 Thomson 효과 = 200
• 7.1.3 Peltier 효과 = 201
• 7.1.4 전자냉각 = 202
• 7.2 광전효과 = 204
• 7.2.1 광기전력효과 = 204
• 7.2.2 광도전효과 = 207
• 7.2.3 광전자방출 = 209
• 7.3 광전소자 = 209
• 7.3.1 광전지 = 209
• 7.3.2 태양전지 = 210
• 7.3.3 포토 다이오드 = 212
• 7.3.4 포토 트랜지스터 = 214
• 7.3.5 발광 다이오드(LED) = 216
• 7.3.6 전계발광(EL) = 219
• 7.3.7 광분리기 = 221
• 7.3.8 액정 디스플레이(LCD) = 222
• 연습문제 = 226
• 8장 집적회로
• 8.1 마이크로일렉트로닉스 = 227
• 8.1.1 집적회로의 분류 = 227
• 8.1.2 집적회로의 특징 = 229
• 8.2 모노리딕 IC = 230
• 8.2.1 모노리딕 IC의 구분 = 231
• 8.2.2 모노리딕 IC의 제조 = 232
• 8.2.3 집적회로의 조립 = 238
• 8.2.4 모노리딕 IC의 구조 = 240
• 8.3 MOS IC = 246
• 8.3.1 Si 게이트 MOS IC = 248
• 8.3.2 n 채널 MOS IC = 248
• 8.3.3 C-MOS = 249
• 8.4 대규모 집적회로(LSI) = 252
• 8.5 IC 메모리 = 253
• 8.5.1 ROM = 254
• 8.5.2 PROM = 256
• 8.5.3 RAM = 258
• 8.6 전하결합소자 = 259
• 8.6.1 MOS 캐패시터에서의 동적 효과 = 259
• 8.6.2 CCD의 원리 = 260
• 8.6.3 기본구조의 개선 = 262
• 8.6.4 CCD의 응용 = 264
• 연습문제 = 265
• 9장 레이저 이론
• 9.1 레이저의 발달사 = 267
• 9.2 레이저의 원리 = 268
• 9.2.1 유도방출 = 268
• 9.2.2 레이저의 종류 = 271
• 9.3 반도체 레이저 = 275
• 9.3.1 반도체 레이저의 원리 = 276
• 9.3.2 레이저 다이오드 = 278
• 연습문제 = 281
• 부록
• Ⅰ-1 양자이론의 개요 = 283
• Ⅰ-2 Einstein의 특수상대성 원리에 의한 질량 m의 관계식 유도 = 293
• Ⅰ-3 공간전하영역의 폭 W 유도(관련 3ㆍ1 절) = 295
• Ⅰ-4 역포화전류 $$I_0$$의 유도(관련 3ㆍ6 절) = 297
• Ⅱ-1 그리스 문자 = 298
• Ⅱ-2 물리상수 = 299
• Ⅱ-3 태양계상수 = 299
• Ⅱ-4 단위환산표 = 299
• Ⅱ-5 반도체의 여러 가지 성질 = 301
• Ⅱ-6 원소의 주기율표 = 302
• Ⅱ-7 전자파의 종류 및 용도 = 304
• 찾아보기 = 305