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      Deposition of SiCxNy Thin Film as a Membrane Application

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      https://www.riss.kr/link?id=A108189433

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      SiCxNy film is deposited by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition system using SiH_4(5% in Ar), CH₄ and N₂. Ternary phase SiCxNy thin film deposited at the microwave power of 600 W and substrate temperature of 700 contains considerable amount of strong C-N bonds. Change in CH₄flow rate can effectively control the residual film stress, and typical surface roughness of 34.6 (rms) was obtained. Extremely high hardness (3952 Hv) and optical transmittance (95% at 633 nm) was achieved, which is suitable for a LIGA mask membrane application.
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      SiCxNy film is deposited by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition system using SiH_4(5% in Ar), CH₄ and N₂. Ternary phase SiCxNy thin film deposited at the microwave power of 600 W and substrate temperature of 700 contains ...

      SiCxNy film is deposited by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition system using SiH_4(5% in Ar), CH₄ and N₂. Ternary phase SiCxNy thin film deposited at the microwave power of 600 W and substrate temperature of 700 contains considerable amount of strong C-N bonds. Change in CH₄flow rate can effectively control the residual film stress, and typical surface roughness of 34.6 (rms) was obtained. Extremely high hardness (3952 Hv) and optical transmittance (95% at 633 nm) was achieved, which is suitable for a LIGA mask membrane application.

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      목차 (Table of Contents)

      • 1. Introduction
      • 2. Experiment
      • 3. Results and Discussion
      • 4. Conclusions
      • Acknowledgement
      • 1. Introduction
      • 2. Experiment
      • 3. Results and Discussion
      • 4. Conclusions
      • Acknowledgement
      • References
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