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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      강유전성 후막 PTC 서미스터의 제조 및 물성 = Manufacture and Properties of Thick Film Ferroelectric PTC Thermistor

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      https://www.riss.kr/link?id=A30065310

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      국문 초록 (Abstract)

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      후막 PTC를 제조하기 위하여 BaTiO_3 주원료에 BaTiO_3와 MnO_2를 첨가한 PTC 페이스트를 ZrO_2와 BaTiO_3 기판위에 인쇄한 후 1325℃에서 1시간 동안 소결하였다. BaTiO_3 기판위에 형성된 PTC 후막은 PTCR 특성을 나타내었다. 그러나 ZrO_2 기판 위에 인쇄된 시편의 경우 PTCR(Positive Temperature Coefficient of Resistance) 특성이 나타나지 않았다. 이것은 ZrO_2기판과 인쇄된 PTC 페이스트간의 열팽창계수 차이에 의한 thermal cracking 때문에 PTC 형성이 불가능함을 보여주었다.
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      후막 PTC를 제조하기 위하여 BaTiO_3 주원료에 BaTiO_3와 MnO_2를 첨가한 PTC 페이스트를 ZrO_2와 BaTiO_3 기판위에 인쇄한 후 1325℃에서 1시간 동안 소결하였다. BaTiO_3 기판위에 형성된 PTC 후막은 PTCR 특...

      후막 PTC를 제조하기 위하여 BaTiO_3 주원료에 BaTiO_3와 MnO_2를 첨가한 PTC 페이스트를 ZrO_2와 BaTiO_3 기판위에 인쇄한 후 1325℃에서 1시간 동안 소결하였다. BaTiO_3 기판위에 형성된 PTC 후막은 PTCR 특성을 나타내었다. 그러나 ZrO_2 기판 위에 인쇄된 시편의 경우 PTCR(Positive Temperature Coefficient of Resistance) 특성이 나타나지 않았다. 이것은 ZrO_2기판과 인쇄된 PTC 페이스트간의 열팽창계수 차이에 의한 thermal cracking 때문에 PTC 형성이 불가능함을 보여주었다.

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      In order to fabricate the PTC thick time, BaTiO_3 based PTC pastes containing Sb_2O_3 and MnO_2 were printed on the ZrO_2 and BaTiO_3 substrates, and sintered at 1325℃ for 1hour.
      The thick film PTC formed on the BaTiO_2 substrate appeared the good PTCR(Positive Temperature Coefficient of Resistance) properties. But in case of the specimen printed on the ZrO_2 substrate, it is impossible to form a PTC thick film because of thermal cracking by the difference of thermal coefficient between thick film PTC and ZrO_2
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      In order to fabricate the PTC thick time, BaTiO_3 based PTC pastes containing Sb_2O_3 and MnO_2 were printed on the ZrO_2 and BaTiO_3 substrates, and sintered at 1325℃ for 1hour. The thick film PTC formed on the BaTiO_2 substrate appeared the good ...

      In order to fabricate the PTC thick time, BaTiO_3 based PTC pastes containing Sb_2O_3 and MnO_2 were printed on the ZrO_2 and BaTiO_3 substrates, and sintered at 1325℃ for 1hour.
      The thick film PTC formed on the BaTiO_2 substrate appeared the good PTCR(Positive Temperature Coefficient of Resistance) properties. But in case of the specimen printed on the ZrO_2 substrate, it is impossible to form a PTC thick film because of thermal cracking by the difference of thermal coefficient between thick film PTC and ZrO_2

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