고속 저전력 모바일 응용분야를 위한 1.8V 2-Gb/s scalable low voltage signaling (SLVS) 송신단을 제안한다. 제안하는 송신단은 데이터 전송을 위한 4-lane 송신단, 소스 동기 클록 방식을 위한 1-lane 송신...

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2013
Korean
KCI등재
학술저널
25-32(8쪽)
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고속 저전력 모바일 응용분야를 위한 1.8V 2-Gb/s scalable low voltage signaling (SLVS) 송신단을 제안한다. 제안하는 송신단은 데이터 전송을 위한 4-lane 송신단, 소스 동기 클록 방식을 위한 1-lane 송신단, 그리고 8-phase 클록 발생기로 구성된다. 제안하는 SLVS 송신단은 50 mV에서 650 mV의 출력 전압 범위를 가지며 고속 동작 모드와 저전력 모드를 제공한다. 또한, signal integrity를 개선하기 위한 출력 드라이버의 임피던스 교정 기법이 제안된다. 제안하는 SLVS 송신단은 1.8 V의 공급 전압을 가지는 0.18-μm 1-poly 6-metal CMOS 공정을 이용하여 구현된다. 구현된 SLVS 송신단의 데이터 jitter의 시뮬레이션 결과는 2-Gb/s의 데이터 전송속도에서 8.04 ps이다. 1-lane을 위한 SLVS 송신단의 면적과 전력소모는 각각 422 × 474μm2와 5.35 mW/Gb/s이다
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
A 1.8V 2-Gb/s scalable low voltage signaling (SLVS) transmitter (TX) is designed for mobile applications requiring high speed and low power consumption. It consists of 4-lane TX for data transmission, 1-lane TX for a source synchronous clocking, and a...
A 1.8V 2-Gb/s scalable low voltage signaling (SLVS) transmitter (TX) is designed for mobile applications requiring high speed and low power consumption. It consists of 4-lane TX for data transmission, 1-lane TX for a source synchronous clocking, and a 8-phase clock generator. The proposed SLVS TX has the scaling voltage swing from 50 mV to 650 mV and supports a high speed (HS) mode and a low power (LP) mode. An output impedance calibration scheme for the SVLS TX is proposed to improve the signal integrity. The proposed SLVS TX is implemented by using a 0.18-μm 1-poly 6-metal CMOS with a 1.8 V supply. The simulated data jitter of the implemented SLVS TX is about 8.04 ps at the data rate of 2-Gb/s. The area and power consumption of the 1-lane of the proposed SLVS TX are 422 × 474 μm2 and 5.35 mW/Gb/s, respectively.
목차 (Table of Contents)
참고문헌 (Reference)
1 G. Balamurugan, "A scalable 5–15 Gbps, 14–75 mW low-power I/O transceiver in 65 nm CMOS" 43 (43): 1010-1019, 2008
2 B. Leibowitz, "A 4.3 GB/s Mobile Memory Interface With Power-Efficient Bandwidth Scaling" 45 (45): 889-898, 2010
3 K.-L. J. Wong, "A 27-mW 3.6-Gb/s I/O transceiver" 39 (39): 602-612, 2004
4 J. Poulton, "A 14-mW 6.25-Gb/s Transceiver in 90-nm CMOS" 42 (42): 2745-2757, 2007
5 A. Amirkhany, "A 12.8-Gb/s/link Tri-Modal Single-Ended Memory Interface for Graphics Applications" 232-233, 2011
6 K. Kaviani, "A 0.4mW/Gb/s 16Gb/s near-ground receiver front-end with replica transconductance termination calibration" 132-133, 2012
1 G. Balamurugan, "A scalable 5–15 Gbps, 14–75 mW low-power I/O transceiver in 65 nm CMOS" 43 (43): 1010-1019, 2008
2 B. Leibowitz, "A 4.3 GB/s Mobile Memory Interface With Power-Efficient Bandwidth Scaling" 45 (45): 889-898, 2010
3 K.-L. J. Wong, "A 27-mW 3.6-Gb/s I/O transceiver" 39 (39): 602-612, 2004
4 J. Poulton, "A 14-mW 6.25-Gb/s Transceiver in 90-nm CMOS" 42 (42): 2745-2757, 2007
5 A. Amirkhany, "A 12.8-Gb/s/link Tri-Modal Single-Ended Memory Interface for Graphics Applications" 232-233, 2011
6 K. Kaviani, "A 0.4mW/Gb/s 16Gb/s near-ground receiver front-end with replica transconductance termination calibration" 132-133, 2012
기준 클럭 발생을 위한 저 젼력, 저 잡음 DLL기반 주파수 체배기
SRAM 셀 안정성 분석을 이용한 고속 데이터 처리용 TCAM(Ternary Content Addressable Memory) 설계
학술지 이력
| 연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
|---|---|---|---|
| 2026 | 평가 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
| 2020-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (재인증) | ![]() |
| 2017-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (계속평가) | ![]() |
| 2013-01-01 | 등재 | 등재학술지 유지 (등재유지) | ![]() |
| 2010-01-01 | 등재 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | ![]() |
| 2009-01-01 | 등재 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | ![]() |
| 2008-01-01 | 등재 | 신청제한 (등재후보1차) | |
| 2007-01-01 | 등재 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | ![]() |
| 2005-01-01 | 등재 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | ![]() |
학술지 인용정보
| 기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
|---|---|---|---|
| 2016 | 0.57 | 0.57 | 0.58 |
| KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
| 0.6 | 0.6 | 0.796 | 0.32 |