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      고전력용 T-MOSFET가 정전기로 인한 손상효과 = The Damage Effects on the ESD(Electrostatic Discharge) of High Power T-MOSFET

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      https://www.riss.kr/link?id=A3145290

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      This paper is described the damage effects by increasing surge voltage at high power T-MOSFET (Source No. PFA 2208, 2209). All samples are breakdown above 100 volt surge voltage. Particularly damage of SiO2 layer at 200 volt by one time is occurred. Poly vinyl tape and paper tape is used in order to remove dust at marking process. The result, 3000 volt ESD (Electrostatic Discharge) at poly vinyl tape and less than 100 volt at paper tape is measured.
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      This paper is described the damage effects by increasing surge voltage at high power T-MOSFET (Source No. PFA 2208, 2209). All samples are breakdown above 100 volt surge voltage. Particularly damage of SiO2 layer at 200 volt by one time is occurred. P...

      This paper is described the damage effects by increasing surge voltage at high power T-MOSFET (Source No. PFA 2208, 2209). All samples are breakdown above 100 volt surge voltage. Particularly damage of SiO2 layer at 200 volt by one time is occurred. Poly vinyl tape and paper tape is used in order to remove dust at marking process. The result, 3000 volt ESD (Electrostatic Discharge) at poly vinyl tape and less than 100 volt at paper tape is measured.

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      목차 (Table of Contents)

      • Ⅰ.서론
      • Ⅱ.인체모델에 의한 디바이스 손상
      • Ⅲ.실험 및 측정
      • Ⅳ.결론
      • Ⅰ.서론
      • Ⅱ.인체모델에 의한 디바이스 손상
      • Ⅲ.실험 및 측정
      • Ⅳ.결론
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