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Properties of photoluminescience for ZnSe/GaAs epilayer grown by hot wall epitaxy
Hong, Kwangjoon, Baek, Seungnam The Korea Association of Crystal Growth 2003 p.105-110
GaAs(100)기판 위에 성장된 $Zn_{0.86}Mn_{0.14}Te$에피막의 띠 간격 에너지
최용대, 안갑수,이광재,김성구,심석주,윤희중,유영문,김대중,정양준 한국결정성장학회 2003 p.122-126
Bridgman법에 의한 $Cdln_2Te_4$단결정의 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구
홍광준, 이관교,이봉주,박진성,신동찬 한국결정성장학회 2003 p.132-138