RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      KCI등재

      1.9 GHZ PCS 기지국용 선형 전력증폭기의 제작 = Implementation of Linear Power Amplifier with 1.9 GHz for PCS Basestation

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A101123518

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      국문 초록 (Abstract)

      본 논문에서는 미국내의 상용 PCS 서비스 대역인 $1.9GHz(1.93{\sim}1.99GHz)$대역에서 사용 가능한 선형 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 실제로 제작한 선형 전력 증폭기는 출력이 25W이고 Feedforward선형화 기법을 사용하여 FCC가 규정한 혼변조 왜곡 특성을 만족하도록 하였다. 선형 전력 증폭기의 출력별로 측정한 결과 1W(30dBm)에서 25W(44dBm)까지 14dB의 측정구간에서 선형화에 의한 혼변조 왜곡은 최저 10.51dBc부터 최고 19.01dBc까지 개선되었고, 최종 출력에서의 IMD 레벨은 최저 64.84dBc에서 최고 68.17dBc로 각각 나타났다. 이러한 특성은 PCS 기지국의 상용제품으로 충분히 사용할 수 있을 것으로 기대된다.
      번역하기

      본 논문에서는 미국내의 상용 PCS 서비스 대역인 $1.9GHz(1.93{\sim}1.99GHz)$대역에서 사용 가능한 선형 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 실제로 제작한 선형 전력 증폭기는 출력이 25W이고 Feedforw...

      본 논문에서는 미국내의 상용 PCS 서비스 대역인 $1.9GHz(1.93{\sim}1.99GHz)$대역에서 사용 가능한 선형 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 실제로 제작한 선형 전력 증폭기는 출력이 25W이고 Feedforward선형화 기법을 사용하여 FCC가 규정한 혼변조 왜곡 특성을 만족하도록 하였다. 선형 전력 증폭기의 출력별로 측정한 결과 1W(30dBm)에서 25W(44dBm)까지 14dB의 측정구간에서 선형화에 의한 혼변조 왜곡은 최저 10.51dBc부터 최고 19.01dBc까지 개선되었고, 최종 출력에서의 IMD 레벨은 최저 64.84dBc에서 최고 68.17dBc로 각각 나타났다. 이러한 특성은 PCS 기지국의 상용제품으로 충분히 사용할 수 있을 것으로 기대된다.

      더보기

      동일학술지(권/호) 다른 논문

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      인용정보 인용지수 설명보기

      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2024 평가예정 재인증평가 신청대상 (재인증)
      2021-01-01 평가 등재학술지 선정 (계속평가) KCI등재
      2020-12-01 평가 등재후보로 하락 (재인증) KCI등재후보
      2017-01-01 평가 등재학술지 선정 (계속평가) KCI등재
      2016-01-01 평가 등재후보학술지 유지 (계속평가) KCI등재후보
      2015-12-01 평가 등재후보로 하락 (기타) KCI등재후보
      2011-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2005-10-17 학술지명변경 외국어명 : 미등록 -> Journal of IKEEE KCI등재후보
      2005-05-30 학술지등록 한글명 : 전기전자학회논문지
      외국어명 : 미등록
      KCI등재후보
      2005-03-25 학회명변경 한글명 : (사) 한국전기전자학회 -> 한국전기전자학회
      영문명 : 미등록 -> Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers
      KCI등재후보
      2005-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
      2004-01-01 평가 등재후보 1차 FAIL (등재후보1차) KCI등재후보
      2003-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
      더보기

      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.3 0.3 0.29
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.24 0.22 0.262 0.17
      더보기

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼