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    Capacitance model of Single-Gate Tunneling Field-Effect Transistors for Circuit Simulation

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    https://www.riss.kr/link?id=A103269749

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    A capacitance model of single-gate (SG) tunneling field-effect transistors (TFETs) is presented. The capacitance model for transient analysis is based on our previously-developed surface potential and current models of SG/DG TFETs. Simulation results of the proposed TFET model are compared with those from a technology computer-aided-design (TCAD) device simulator, and good agreement in all operational bias is demonstrated.
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    A capacitance model of single-gate (SG) tunneling field-effect transistors (TFETs) is presented. The capacitance model for transient analysis is based on our previously-developed surface potential and current models of SG/DG TFETs. Simulation results ...

    A capacitance model of single-gate (SG) tunneling field-effect transistors (TFETs) is presented. The capacitance model for transient analysis is based on our previously-developed surface potential and current models of SG/DG TFETs. Simulation results of the proposed TFET model are compared with those from a technology computer-aided-design (TCAD) device simulator, and good agreement in all operational bias is demonstrated.

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    목차 (Table of Contents)

    • Abstract
    • I. INTRODUCTION
    • II. Model Development
    • III. Model Validation
    • IV. CONCLUSIONS
    • Abstract
    • I. INTRODUCTION
    • II. Model Development
    • III. Model Validation
    • IV. CONCLUSIONS
    • REFERENCES
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