외부 자장을 인가할 수 있는 헬리칼 공진기 플라즈마 식각 장치를 설계하고 이를 제작하였따. helix 형태와 안테나는 1/4 inch 동판으로 8??-turn을 감았으며 냉각수가 흐르게 하였다. Ar 가스 분위...
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국문 초록 (Abstract)
외부 자장을 인가할 수 있는 헬리칼 공진기 플라즈마 식각 장치를 설계하고 이를 제작하였따. helix 형태와 안테나는 1/4 inch 동판으로 8??-turn을 감았으며 냉각수가 흐르게 하였다. Ar 가스 분위...
외부 자장을 인가할 수 있는 헬리칼 공진기 플라즈마 식각 장치를 설계하고 이를 제작하였따. helix 형태와 안테나는 1/4 inch 동판으로 8??-turn을 감았으며 냉각수가 흐르게 하였다. Ar 가스 분위기에서 double Langmuir probe 를 이용하여 플라즈마의 온도와 밀도를 측정하고 C_4F_8 가스를 사용하여 oxide etch rate 및 polysilicon에 대한 선택도를 구하였다. 식각 변수로는 안테나 전력, 압력, 바이어스 전위를 선택하였다. 그리고, 본 연구에서 가장 중요한 결과는 자장의 변화에 따른 식각 속도의 향상됨과 폴리실리콘에 대한 선택도도 개선됨을 확인하였다. 이는 외부 자장에 따른 이온 플럭스의 증가와 실리콘에 대한 선택도를 향상시키는 폴리머 선인자의 증가로써 설명될 수 있다.
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