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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      시간분해 광반사 분광기술을 이용한 LT-GaAs 반도체 운반자의 초고속 거동 연구 = Ultrafast carrier dynamics study of LT-GaAs semiconductors by using time-resolved photoreflectance spectroscopy

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      https://www.riss.kr/link?id=A103506633

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      Ultrafast carrier dynamics of LT-GaAs semiconductors was investigated by using time-resolved photoreflectance spectroscopy. We can see that decay dynamics of photoreflectance generated by carriers depends strongly on the excitation wavelength due to the structure distortion of LT-GaAs semiconductors. Ultrafast trapping of excited carriers into deep trap states gives rise to transient photoreflectance decays with a lifetime shorter than 1 ps. Also, the long-lived photoreflectance is attributed to the carriers trapped deeply at point defects. fects.
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      Ultrafast carrier dynamics of LT-GaAs semiconductors was investigated by using time-resolved photoreflectance spectroscopy. We can see that decay dynamics of photoreflectance generated by carriers depends strongly on the excitation wavelength due to t...

      Ultrafast carrier dynamics of LT-GaAs semiconductors was investigated by using time-resolved photoreflectance spectroscopy. We can see that decay dynamics of photoreflectance generated by carriers depends strongly on the excitation wavelength due to the structure distortion of LT-GaAs semiconductors. Ultrafast trapping of excited carriers into deep trap states gives rise to transient photoreflectance decays with a lifetime shorter than 1 ps. Also, the long-lived photoreflectance is attributed to the carriers trapped deeply at point defects. fects.

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