背後散亂 電子에 대한 Monte Carlo계산 = Monte Carlo Calculations on Backscattered Electron

국문 초록 (Abstract)

고체시료 표면에 입사한 전자의 배후산란 전자에 대한 Monte carlo계산은 일반적으로 배후산란전자의 각분포, 에너지분포 그리고 배후산란 계수등에 실험값과 약간의 어긋남이 있다.
이 연구는 이론식을 Rutherford의 가려진 단면적 공식과 Bethe의 저지능 공식을 보완한 식 그리고 Poisson 분포식에 의한 주행거리를 이용한 단일산란 모델에 의해서 Monte Carlo방법으로 배후산란 전자에 대한 공간분포, 각분포, 에너지분포 그리고 배후 산란 계수를 계산하였다.
이 계산 결과는 실험값과 아주 잘 일치하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

In the Monte Carlo calculations, there were some discrepancies between theory and experiments on backscattered electons, angular as well as energy distribution and backscatter coefficients.
In this paper we attempted to examine the applicability of the Monte Carlo method in connection with a sing scattering model in which the screened Rutherford cross-section, the Bethe energy loss replenshed formula and the Poisson distribution's steps are used. The calculations show fairly good agreement with those of the experiments on backscattered electrons.