장파장계 광 스위칭 소자 구현을 위한 InGaAsP/InP 다중 양자우물 구조의 최적화 = Optimization of the structure of InGaAaP/InP multiple quantum well for reallization of the optical switching devices operating at 1.55㎛ wavelenght

국문 초록 (Abstract)

1.55㎛ 파장에서 작동하는 광쌍안정 스위치의 구현을 위해 여기자 흡수 효과를 높여 사중 혼성구조인 InGaAsP/InP 다중양자우물 구조를 최적화하는 계산을 제시하고자 한다. 전계를 가하지 않았을 경우의 중공 여기자 흡수 최대치가 1.55㎛의 파장에서 얻어지도록 유지하며 In1-xGaAsP1-y/InP혼성구조에서 [α(0)-α(F)] /α(F)로 정의된 γ값의 최대치를 주는 x, y, 양자우물의 폭 등을 구했다. γ값의 최대치는 y=1.0, x=0.477 그리고 양자우물의 폭이 90Å일 때 30.2로 얻어졌으며 이 γ값은 일반적으로 사용되는 100Å의 삼중 양자우물 구조에서의 값의 약 세 배로 나타났다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

An optimization on the basis of theoretical calculation is performed to enhance the excitonic electroabsoiption effect in the quaternary InGaAsP/mP multiple quantum well structures for use in the bistable switching devices operating at 1.55㎛ wavelength. The maximum value of a parameter, γ, defined as [α(0)-α(F)] /α(F) is searched by adjusting x, y, and quantum well width in the In1-xGaxAsyP1-y/InP heterostructure assuming that the heavy-hole excitonic absorption peaks at zero electric field occur at 1.55㎛ wavelength. The maximum value of r is obtained as 30.2 for y=1.0, x=0.477, and well width 90 Å and found that this value is about three times as high as that of the conventional ternary quantum well structure which has the well width of 100 Å.