재구조된 Si(5 5 12)-2×1 형판 위에 결이 맞는 CaF 나노선의 성장 = Growth of Commensurate CaF Nanowires on a Reconstructed Si(5 5 12)-2 ×1 Template

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The commensurate nanowire grown by thermal deposition of CaF₂ on Si(5 5 12)-2×1 at 500℃ has been studied by using scanning tunneling microscopy (STM) and scanning tunneling spectroscopy (STS). The CaF₂molecules deposited on this substrate are dissociated to form one-dimensional (1D) nanowires composed of CaF (113) and CaF (111) facets. With increasing deposited amount of CaF₂, the density of the nanowires increases,but the original period of Si(5 5 12)-2×1 is maintained.
The CaF/Si(5 5 12) system is expected to have applications to the etching of semiconductors.

국문 초록 (Abstract)

주사 터널링 현미경과 주사 터널링 분광법을 이용하여 초고진공 하에서Si(5 5 12)-2×1 기판 위에 CaF₂를 증착하여 기판과 결이맞는 일차원 나노선의 형성 방법을 연구하였다. 본 연구를 통하여 500℃의 기판 위에서 CaF₂는 해리되어 CaF (113) 패싯과 CaF (111) 패싯으로 이루어진 일차원 나노선을 형성하는 사실을 발견하였다.
이 나노선의 밀도는 CaF₂증착량으로 조절할 수 있으며, 또한 증착도중 Si(5 5 12)-2×1의 원래 주기가 유지되는 것을 확인하였다.
그리하여 CaF/Si(5 5 12) 계가 반도체 에칭에 응용될 가능성을확인하였다.

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