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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Ag-paste를 이용한 printed OTFT 제작 및 AMOLED 적용 연구 = Fabrication of printed OTFT using by Ag-paste and Design of AMOLED

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      https://www.riss.kr/link?id=A102609304

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      We fabricated OTFT by using Ag-paste for source and drains electrode of OTFTs on substrate. The OTFTs were fabricated by solution processes such as spin-coating for PVP gate dielectric and screen printingfor S/D electrodes with Ag-paste, except pentacene active layer which was deposited by evaporation. The mobility was 0.343±0.018 ㎠/V.sec and off state current ~10?¹¹ A and on/off current ratio ~10?. And than, we designed 16 × 16 pixels that each pixel was consisted of 2 OTFTs, 1Capacitor and 1 OLED.
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      We fabricated OTFT by using Ag-paste for source and drains electrode of OTFTs on substrate. The OTFTs were fabricated by solution processes such as spin-coating for PVP gate dielectric and screen printingfor S/D electrodes with Ag-paste, except pentac...

      We fabricated OTFT by using Ag-paste for source and drains electrode of OTFTs on substrate. The OTFTs were fabricated by solution processes such as spin-coating for PVP gate dielectric and screen printingfor S/D electrodes with Ag-paste, except pentacene active layer which was deposited by evaporation. The mobility was 0.343±0.018 ㎠/V.sec and off state current ~10?¹¹ A and on/off current ratio ~10?. And than, we designed 16 × 16 pixels that each pixel was consisted of 2 OTFTs, 1Capacitor and 1 OLED.

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      목차 (Table of Contents)

      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 본론
      • Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
      • Acknowledgements
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 본론
      • Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
      • Acknowledgements
      • 참고문헌
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