Chemical beam epitaxy 성장법으로 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피성장 (selective area epitaxy)을 하였다. <011> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 작아지고, <01-1> 방향에 평행한 직선...
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한일기 (한국과학기술연구원) ; 이정일 (한국과학기술연구원) ; Han, Il-Ki ; Lee, Jung-Il
2009
Korean
화학적 빔 에피탁시 ; 선택적 영역 에피성장 ; 화합물반도체 ; 성장 메카니즘
KCI등재,SCOPUS,ESCI
학술저널
468-473(6쪽)
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Chemical beam epitaxy 성장법으로 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피성장 (selective area epitaxy)을 하였다. <011> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 작아지고, <01-1> 방향에 평행한 직선...
Chemical beam epitaxy 성장법으로 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피성장 (selective area epitaxy)을 하였다. <011> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 작아지고, <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 증가하는 현상이 나타났는데 이는 InGaAs의 <311>A와 B면이 <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서 성장되었기 때문으로 설명되었다. 성장속도가 $1\;{\mu}m/h$인 조건에서 5족 가스의 압력이 감소할수록 (100) 면 위에서 평평한 에피층이 성장되었는데 이는 5족 가스의 과포화현상에 의한 3족 원소의 표면이동으로 설명하였다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
Selective area epitaxy of multiple-stacked InP/InGaAs structures were grown by chemical beam epitaxy. The width of top of the multiple-stacked InP/InGaAs layer which were selectively grown on the stripe lines parallel to the <011> direction was ...
Selective area epitaxy of multiple-stacked InP/InGaAs structures were grown by chemical beam epitaxy. The width of top of the multiple-stacked InP/InGaAs layer which were selectively grown on the stripe lines parallel to the <011> direction was narrowed, while the width of top of the multiple-stacked InP/InGaAs layer on the stripe lines parallel to the <01-1> was widen. This difference according to the <011> and <01-1> direction was explained by the growth of InGaAs <311>A and B faces on the (100) InP surface on the stripe lines parallel to the <01-1> direction. Under growth rate of $1\;{\mu}m/h$, top of the multiple-stacked InP/InGaAs was flattened as the pressure of group V gas was decreased. This phenomenon was understood by the saturation of group V element on the surface.
참고문헌 (Reference)
1 A. Freundlich, 25 : 987-, 2007
2 E. G. P. de Jong, 25-29, 2009
3 L. E. Jensen, 4 : 1961-, 2004
4 G. Radhakrishnan, 311 : 1855-, 2009
5 T. H. Chiu, 95 : 136-, 1989
6 Y. Gao, 16 : 36-, 2004
7 O. Kayser, 107 : 989-, 1991
8 M. S. Kim, 123 : 69-, 1992
9 R. Munden, 16-20, 2009
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8 M. S. Kim, 123 : 69-, 1992
9 R. Munden, 16-20, 2009
A Study of Non-uniform Pressure Distribution in Vacuum Chamber during Dynamic Gas Flow
Beam Induced Fluorescence 모니터를 이용한 KIRAMS-13 싸이클로트론의 양성자빔 횡단면 측정
학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2022 | 평가예정 | 계속평가 신청대상 (등재유지) | |
2017-01-01 | 평가 | 우수등재학술지 선정 (계속평가) | |
2014-06-16 | 학술지명변경 | 한글명 : Applied Science and Convergence Technology -> 한국진공학회지 | |
2014-02-06 | 학술지명변경 | 한글명 : ASCT -> Applied Science and Convergence Technology | |
2014-02-05 | 학술지명변경 | 한글명 : 한국진공학회지 -> ASCT외국어명 : Journal of the Koren Vacuum Society -> Applied Science and Convergence Technology | |
2014-01-01 | 학술지명변경 | 한글명 : 한국진공학회지 -> Applied Science and Convergence Technology | |
2013-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2005-05-23 | 학술지명변경 | 외국어명 : Journal of the Koren Cacuum Society -> Journal of the Koren Vacuum Society | |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
2004-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) |
학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.12 | 0.12 | 0.15 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.13 | 0.1 | 0.328 | 0.03 |