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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      CdSe 薄膜의 電子 傳導機構와 熱刺檄 電流 特性에 관한 硏究 = A Study on the Electronic Conduction Mechanism and Thermally Stimulated Current Characteristic for CdSe Thin Film

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      https://www.riss.kr/link?id=A2042522

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      The energy band model of CdSe film device is discussed in relation to the characteristics of thermally stimulated current.
      Thermally stimulated current is measured in the temperature range of 110。K∼350。K. It is observed that there are two peaks.
      Peak B seems due to depolarization of donor ions in the depletion layer, and peak A is to the detrapping of trapped electrons in the shallow trap and deep trap, respectively.
      The electronic conduction mechanisms can be explanined by Ohmic characteristic in region A, space charge limited characteristic in region B, respectively.

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      The energy band model of CdSe film device is discussed in relation to the characteristics of thermally stimulated current. Thermally stimulated current is measured in the temperature range of 110。K∼350。K. It is observed that there are two pea...

      The energy band model of CdSe film device is discussed in relation to the characteristics of thermally stimulated current.
      Thermally stimulated current is measured in the temperature range of 110。K∼350。K. It is observed that there are two peaks.
      Peak B seems due to depolarization of donor ions in the depletion layer, and peak A is to the detrapping of trapped electrons in the shallow trap and deep trap, respectively.
      The electronic conduction mechanisms can be explanined by Ohmic characteristic in region A, space charge limited characteristic in region B, respectively.

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