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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ
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      산화분위기하에서 silicon Carbide의 반응기구 = Reaction Mechanism of the Silicon Carbide in the O₂-Atmophere

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      SiC powder was heated in air over the temperature range of 1100-1350℃.The β-cristobalite was formed on the surfaces of SiC particles by the reaction:
      SiC(s) + 2O₂(g) = SiO₂(s) + Co₂(g)
      It is assumed that the diffusion od oxygen ion through the formed surface layer of β-cristobalite controled oxidation of the SiC particles.
      The diffusion coefficient of oxygen ion through the β-cristobalite layer was obtained as the following equation:
      D=3.84 × ?? exp (-14.7/RT)
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      SiC powder was heated in air over the temperature range of 1100-1350℃.The β-cristobalite was formed on the surfaces of SiC particles by the reaction: SiC(s) + 2O₂(g) = SiO₂(s) + Co₂(g) It is assumed that the diffusion od oxygen...

      SiC powder was heated in air over the temperature range of 1100-1350℃.The β-cristobalite was formed on the surfaces of SiC particles by the reaction:
      SiC(s) + 2O₂(g) = SiO₂(s) + Co₂(g)
      It is assumed that the diffusion od oxygen ion through the formed surface layer of β-cristobalite controled oxidation of the SiC particles.
      The diffusion coefficient of oxygen ion through the β-cristobalite layer was obtained as the following equation:
      D=3.84 × ?? exp (-14.7/RT)

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      목차 (Table of Contents)

      • 1. 서론
      • 2. 이론
      • 3. 실험방법
      • 4. 결과 및 고찰
      • 5. 결론
      • 1. 서론
      • 2. 이론
      • 3. 실험방법
      • 4. 결과 및 고찰
      • 5. 결론
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