인가 자기장과 자기상호작용이 CoSm 막의 자기역전부피에 미치는 영향 = Effects of the Applied Magnetic Field and Magnetic Interaction on the Magnetic Switching Volume in CoSm Films

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Samples fabricated at high sputtering pressure showed small switching volumes compared to those fabricated at low sputtering pressure. The results of a Henkel plot, an interaction field facter (IFF) and ΔM analyzed from the remanence curves, implied that the dipolar interaction is the dominant interaction mechanism for all samples, but the strength of the dipolar interaction gradually increased in the samples deposited at low sputtering pressure. Also, the magnetic switching volume increased with increasing applied magnetic field in the low field region, was nearly constant in the vicinity of the coercivity, and then suddenly decreased in the high field region. These phenomena may be responsible for both the height and the distribution of the energy barriers caused by the applied magnetic field and for the magnetization reversal mechanism related to the morphology and the microstructure of the samples.

국문 초록 (Abstract)

스퍼터링 압력을 달리하여 제작한 CoSm 자성막의 자기역전부피를 보자력근처에서 구한 결과 높은 압력에서 제작한 시료가 낮은 압력에서 제작한시료에 비해 작았다. 잔류 자기화 곡선을 이용하여 분석한 Henkel plot,상호작용인자(interaction field factor: IFF), 및 잔류 자기화 ΔM의 결과로부터 모든 시료의 주된 상호작용 기구는 자기쌍극자상호작용이며, 상호작용이 강할수록 자기역전부피가 컸다. 인가 자기장에따른 자기역전부피는 낮은 자기장 영역에서 증가하고 보자력 근처에서는거의 일정하다가 더 큰 자기장에서는 급격히 감소하였다. 이와 같은현상은 인가 자기장이 에너지 장벽의 높이와 분포를 변화시키고 시료의형상과 미세구조에 관련된 자기화 역전 기구가 복합적으로 작용하기때문인 것으로 판단된다.

참고문헌 (Reference)

1 M.El. Hilo, 27 : 4666-, 1991

2 E. W. Singleton, 31 : 2743-, 1995

3 C. P. Luo, 79 : 4899-, 1996

4 Soon Young Jeong, 45 : 5000-, 2006

5 Soon Young Jeong, 11 : 262-, 2001

6 D. E. Laughlin, 27 : 4713-, 1991

7 C. Prados, 85 : 6148-, 1999

8 R. Street, 562-, 1949

9 P. Bruno, 68 : 5759-, 1990

10 A. R. Corradi, 14 : 861-, 1978

11 O. Henkel, 7 : 919-, 1964

12 P. E. Kelly, 25 : 3881-, 1989

13 P. I. Mayo, 69 : 4733-, 1991

14 P. I. Mayo, 95 : 109-, 1991

15 I. Beardsley, 27 : 5037-, 1991

16 E. M. T. Velu, 28 : 3249-, 1992

17 C. Gao, 81 : 3928-, 1997