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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      KCI등재 SCI SCIE SCOPUS

      Influence of Oxygen on the Electrical Properties of Aluminum-Doped Zinc-Oxide Thin Films

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      https://www.riss.kr/link?id=A104326897

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      Aluminum doped zinc-oxide (AZO) thin films have been deposited on corning 1737 glass by using
      a dc magnetron sputtering method. In this experiment, we studied the various properties of AZO
      films under the influence of the oxygen content in the deposited films. We investigated the structural
      and the electrical properties of AZO films by using X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron
      spectroscopy (XPS), and Rutherford backscattering spectrometry (RBS).We find that the electrical
      properties of the AZO thin film strongly depend on the oxygen concentration. The resistivity is
      drastically increased with increasing oxygen content in the thin films.
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      Aluminum doped zinc-oxide (AZO) thin films have been deposited on corning 1737 glass by using a dc magnetron sputtering method. In this experiment, we studied the various properties of AZO films under the influence of the oxygen content in the deposit...

      Aluminum doped zinc-oxide (AZO) thin films have been deposited on corning 1737 glass by using
      a dc magnetron sputtering method. In this experiment, we studied the various properties of AZO
      films under the influence of the oxygen content in the deposited films. We investigated the structural
      and the electrical properties of AZO films by using X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron
      spectroscopy (XPS), and Rutherford backscattering spectrometry (RBS).We find that the electrical
      properties of the AZO thin film strongly depend on the oxygen concentration. The resistivity is
      drastically increased with increasing oxygen content in the thin films.

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      학술지 인용정보

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      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.26 0.2 0.26 0.03
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