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이 학술지의 논문 검색
Optical studies of ion-implantation centres in silicon
Davies, G.; Harding, R.; Jin, T.; Mainwood, A.; Leung-Wong, J. Elsevier Science; 1999 2002 p.1-9
Self-interstitial clusters in silicon
Jones, R.; Eberlein, T. A.; Pinho, N.; Coomer, B. J.; Goss, J. P.; Briddon, P. R.; Oberg, S. Elsevier Science; 1999 2002 p.10-18
DLTS and PL studies of proton radiation defects in tin-doped FZ silicon
Simoen, E.; Claeys, C.; Privitera, V.; Coffa, S.; Kokkoris, M.; Kossionides, E.; Fanourakis, G.; Nylandsted Larsen, A.; Clauws, P. Elsevier Science; 1999 2002 p.19-23
Structure of tin-vacancy defects in silicon
Kaukonen, M.; Jones, R.; Oberg, S.; Briddon, P. R. Elsevier Science; 1999 2002 p.24-29
Time domain measurement of spin-dependent recombination - A novel defect spectroscopy method
Boehme, C.; Kanschat, P.; Lips, K. Elsevier Science; 1999 2002 p.30-35
DLTS and EPR study of defects in H implanted silicon
Miksic, V.; Pivac, B.; Rakvin, B.; Zorc, H.; Corni, F.; Tonini, R.; Ottaviani, G. Elsevier Science; 1999 2002 p.36-40
High resolution Laplace DLTS studies of defects in ion-implanted silicon
Evans-Freeman, J. H.; Abdelgader, N.; Kan, P. Y.; Peaker, A. R. Elsevier Science; 1999 2002 p.41-45
Effect of rapid thermal annealing on oxide precipitation behavior in silicon crystal
Akatsuka, M.; Okui, M.; Sueoka, K. Elsevier Science; 1999 2002 p.46-54
57Fe Mossbauer study of radiation damage in ion-implanted Si, SiGe and SiSn
Gunnlaugsson, H. P.; Fanciulli, M.; Dietrich, M.; Bharuth-Ram, K.; Sielemann, R.; Weyer, G.; Collaboration, I. Elsevier Science; 1999 2002 p.55-60
Cobalt silicide formation inside surface defects of a silicon substrate
Belousov, I.; Grib, A.; Linzen, S.; Seidel, P. Elsevier Science; 1999 2002 p.61-65
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