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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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      비정질 ZnSe 박막의 광학적 특성 = Optical properties of amorphous ZnSe thin films

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      a-ZnSe thin films have been prepared by using a chemical solution growth method.
      Optimum condition to deposit good quality films have been determind.
      Structure and optical properties of ZnSe thin films have studid. X-ray diffraction analysis shows that ZnSe thin films have amorphous structure. a-ZnSe thin films have a direct band gap of 2.28 eV, which is obtained from the optical absorption spectrum.
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      a-ZnSe thin films have been prepared by using a chemical solution growth method. Optimum condition to deposit good quality films have been determind. Structure and optical properties of ZnSe thin films have studid. X-ray diffraction analysis shows t...

      a-ZnSe thin films have been prepared by using a chemical solution growth method.
      Optimum condition to deposit good quality films have been determind.
      Structure and optical properties of ZnSe thin films have studid. X-ray diffraction analysis shows that ZnSe thin films have amorphous structure. a-ZnSe thin films have a direct band gap of 2.28 eV, which is obtained from the optical absorption spectrum.

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