저장벽 양자우물구조와 비태칭 패브리 - 페로 공명기 구조에 의한 고성능 2×4 S-SEED Array 구현

국문 초록 (Abstract)

GaAs/Al_(0.04)Ga_(0.96)As 다중양자우물 구조를 이용한 반사형 PIN 다이오우드 S-SEED의 설계에 있어 낮은 동작전압, 높은 포화에너지 및 높은 반사율 on/off 강도비를 얻고자 저장벽 양자우물구조와 비대칭 페브리-페로 공명구조를 결합하였다. 2×4 array를 구성하는 S-SEED들은 역방향 동작전압 5V에서 평균적으로 13 이상의 반사율 on/off 강도비 (CR)와 약 24%의 반사율차 (ΔR) 및 91% 이상의 광쌍안정폭 (Δ)을 나타내었다. 공명구조를 이용함으로서 PIN 다이오우드 진성영역내의 양자우물의 주기수를 줄일 수 있어 외부동작전압 없이도 CR~4.7, R~9.2%, ~22%의 향상된 무전압 광쌍안정 동작특성을 얻었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

We designed and fabricated a 2×4 symmetric self electro-optic effect device array using GaAs/Al_(0.04)Ga_(0.96)As extremely shallow quantum wells grown by a molecular beam epitaxy. By employing ESQW and asymmetric Fabry-Perot cavity structure simultaneously, we improved the performances of S-SEED such as on/off contrast ratio (CR), reflectivity change (ΔR), and optical bistability loop width (Δ). The average values of the elements of the 2×4 S-SEED array were CR~13.1, R~24%, and Δ~91%. It was found that the AFP cavity structure enhances the self-biased optical bistability in ESQW-SEED under no external bias. That is due to the decreased intrisic region thickness in AFP-SEED structures, and which increases the built-in electric fields. The zero-biased S-SEED showed CR of ~4.7, R~9%, and Δ~22%.

목차 (Table of Contents)

• 국문초록
  
• Ⅰ. 서론
  
• Ⅱ. AFP 구조의 최적화
  
• Ⅲ. 실험방법
  
• Ⅳ. 결과 및 논의
  
• Ⅴ. 결론
  
• 참고문헌
  
• Abstract