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      수직온도구배 성장 공법을 적용한 갈륨비소 잉곳 성장 기술 연구 = A Study on GaAs Ingot Growth Technique Applied to VGF(Vertical gradient freeze) Growth Method

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      https://www.riss.kr/link?id=A108320524

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      국문 초록 (Abstract)

      항공기 및 우주 구조물에 갈륨비소 기판은 다양하게 적용된다. 본 연구에서 온도 제어기술을 활용하여 수치해석을 통해 4인치 이상의 대구경 갈륨비소 잉곳의 성장에 관한 기술을 제시하였다. 본 연구를 통해 온도 시뮬레이션 기술을 기반으로 다양한 온도 변화와 주위 환경의 변화에 따른 제작 기술을 확보하였다. 잉곳 기술 개발을 통하여 편차가 작은 특성 결과를 도출하여 향후 적용 가능성을 최대화 하였다.
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      항공기 및 우주 구조물에 갈륨비소 기판은 다양하게 적용된다. 본 연구에서 온도 제어기술을 활용하여 수치해석을 통해 4인치 이상의 대구경 갈륨비소 잉곳의 성장에 관한 기술을 제시하였...

      항공기 및 우주 구조물에 갈륨비소 기판은 다양하게 적용된다. 본 연구에서 온도 제어기술을 활용하여 수치해석을 통해 4인치 이상의 대구경 갈륨비소 잉곳의 성장에 관한 기술을 제시하였다. 본 연구를 통해 온도 시뮬레이션 기술을 기반으로 다양한 온도 변화와 주위 환경의 변화에 따른 제작 기술을 확보하였다. 잉곳 기술 개발을 통하여 편차가 작은 특성 결과를 도출하여 향후 적용 가능성을 최대화 하였다.

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      참고문헌 (Reference)

      1 Christiane Frank-Rotsch, "Semiconductor Crystal Growth under the Influence of Magnetic Fields" 55 : 1900115-, 2020

      2 H Weimann, "Numerical Simulation of the Growth of 2"Diameter GaAs Crystal by the Vertical Gradient Freeze Technique" 180 : 560-565, 1997

      3 B. Birkmann, "Growth of 3"and 4"gallium arsenide crystals by the vertical gradient freeze(VGF)method" 211 : 157-162, 2000

      4 J. Amon, "Computer-Assisted Growth of Low-EPD GaAs with 3"Diameter by the Vertical Gradient-Freeze Technique" 198/199 : 361-366, 1999

      5 Hyunsu Jenung, "An Investigation of the Characteristics of Electron Diffusion Coefficients in GaAs by Noise Calculation Method" 14-18, 1993

      6 Youngse Kwon, "A Study on the Development of the Process Technology of GaAs Semiconductor" 17-27, 1987

      1 Christiane Frank-Rotsch, "Semiconductor Crystal Growth under the Influence of Magnetic Fields" 55 : 1900115-, 2020

      2 H Weimann, "Numerical Simulation of the Growth of 2"Diameter GaAs Crystal by the Vertical Gradient Freeze Technique" 180 : 560-565, 1997

      3 B. Birkmann, "Growth of 3"and 4"gallium arsenide crystals by the vertical gradient freeze(VGF)method" 211 : 157-162, 2000

      4 J. Amon, "Computer-Assisted Growth of Low-EPD GaAs with 3"Diameter by the Vertical Gradient-Freeze Technique" 198/199 : 361-366, 1999

      5 Hyunsu Jenung, "An Investigation of the Characteristics of Electron Diffusion Coefficients in GaAs by Noise Calculation Method" 14-18, 1993

      6 Youngse Kwon, "A Study on the Development of the Process Technology of GaAs Semiconductor" 17-27, 1987

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