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이 학술지의 논문 검색
High-Performance InP/In~0~.~5~3Ga~0~.~4~7As/InP Double HBTs on GaAs Substrates
Kim, Y. M.; Dahlstrom, M.; Lee, S.; Rodwell, M. J. W.; Gossard, A. C. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.297-299
GaAs MESFETs Fabricated on Si Substrates Using a SrTiO~3 Buffer Layer
Eisenbeiser, K.; Emrick, R.; Droopad, R.; Yu, Z.; Finder, J.; Rockwell, S.; Holmes, J.; Overgaard, C.; Ooms, W. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.300-302
Physics-Based Modeling of Submicron GaN Permeable Base Transistors
Camarchia, V.; Bellotti, E.; Goano, M.; Ghione, G. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.303-305
Effect of p-Doped Overlayer Thickness on RF-Dispersion in GaN Junction FETs
Jimenez, A.; Buttari, D.; Jena, D.; Coffie, R.; Heikman, S.; Zhang, N. Q.; Shen, L.; Calleja, E.; Munoz, E.; Speck, J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.306-308
The Impact of Plasma-Charging Damage on the RF Performance of Deep-Submicron MOSFET
Pantisano, L.; Cheung, K. P.; Roussel, P. J.; Paccagnella, A. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.309-311
STI Stress-Induced Increase in Reverse Bias Junction Capacitance
Gopinath, V. P.; Puchner, H.; Mirabedini, M. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.312-314
A Poly-Si TFT Fabricated by Excimer Laser Recrystallization on Floating Active Structure
Kim, C.-H.; Song, I.-H.; Nam, W.-J.; Han, M.-K. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.315-317
Inductive Switching of 4H-SiC Gate Turn-Off Thyristors
Bayne, S. B.; Tipton, C. W.; Griffin, T.; Scozzie, C. J.; Geil, B.; Agarwal, A. K.; Richmond, J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.318-320
10 A, 2.4 kV Power DiMOSFETs in 4H-SiC
Ryu, S.-H.; Agarwal, A.; Richmond, J.; Palmour, J.; Saks, N.; Williams, J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.321-323
Copper Gate Hydrogenated Amorphous Silicon TFT With Thin Buffer Layers
Lee, S. W.; Cho, K. S.; Choo, B. K.; Jang, J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.324-326
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