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이 학술지의 논문 검색
Super Low Noise InGaP Gated PHEMT
Huang, H. K.; Wang, Y. H.; Wu, C. L.; Wang, J. C.; Chang, C. S. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.70-72
0.12 mum Transferred-Substrate In~0~.~5~2Al~0~.~4~8As/In~0~.~5~3Ga~0~.~4~7As HEMTs on Silicon Wafer
Bollaert, S.; Wallaert, X.; Lepilliet, S.; Cappy, A.; Jalaguier, E.; Pocas, S.; Aspar, B. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.73-75
Systematic Characterization of Cl~2 Reactive Ion Etching for Improved Ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
Buttari, D.; Chini, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moran, B.; Heikman, S.; Zhang, N. Q.; Shen, L.; Coffie, R.; DenBaars, S. P. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.76-78
Positive Flatband Voltage Shift in MOS Capacitors on n-Type GaN
Matocha, K.; Chow, T. P.; Gutmann, R. J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.79-81
Ferroelectric DRAM (FEDRAM) FET With Metal/SrBi~2Ta~2O~9 /SiN/Si Gate Structure
Kim, K.-H.; Han, J.-P.; Jung, S.-W.; Ma, T.-P. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.82-84
Okhonin, S.; Nagoga, M.; Sallese, J. M.; Fazan, P. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.85-87
The Injection Efficiency Controlled IGBT
Huang, S.; Amaratunga, G. A. J.; Udrea, F. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.88-90
JVD Silicon Nitride as Tunnel Dielectric in p-Channel Flash Memory
She, M.; King, T.-J.; Hu, C.; Zhu, W.; Luo, Z.; Han, J.-P.; Ma, T.-P. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.91-93
Three Level Charge Pumping on a Single Interface Trap
Militaru, L.; Masson, P.; Guegan, G. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.94-96
Current Transport in Metal/Hafnium Oxide/Silicon Structure
Zhu, W. J.; Ma, T.-P.; Tamagawa, T.; Kim, J.; Di, Y. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2002 p.97-99
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