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(A)current-generating BSF silicon solar cell fabricated through masked ion implantation
Silard, A.;Marinescu, R.;Tazlauanu, M. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.425-427
(A)high-speed four-bit full adder with a resistor coupled josephson logic
Sone, J.;Yoshida, T.;Abe, H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.428-429
(A)two-dimensional Boltzmann transport equation approach to ion implantation in silicon
Takeda, T.;Yoshii, A. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.430-432
Passivation of dry-etching damage usinglow-energy hydrogen implants
Wang, J. S.;Fonash, S. J.;Ashok, S. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.432-435
Total dose radiation effects on CMOS ring oscillators operating during irradiation
Hatano, H.;Shibuya, M. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.435-437
Epitaxial layer enhancement of n-well guard rings for CMOS circuits
Troutman, R. R. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.438-440
Hollis, M. A.;Palmateer, S. C.;Eastman, L. F.;Dandekar, N. V.;Smith, P. M. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.440-443
(A)proposed high-frequency high-power siicon-silicide multilayered device
Wang, K. L.;Li, G. P. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.444-446
p-Type thin-film transistors with vacuum-deposited crystallized copper-doped germanium films
Fischer, A. G.;Tizabi, D. J.;Blanke, H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.447-448
(An)analysis of thermal behavior of bipolar-mode JFET's
Bellone, S.;Caruso, A.;Scarpetta, G.;Spirito, P.;Vitale, G. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1983 p.449-451
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