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Resist-realted damage on ultrathin gate oxide durng plasma ashing
Chien, Chao Hsin;Chang, Chun Yen;Lin, Horng Chih;Chang, Tsai Fu;Chiou, Shean Guang;Chen, Liang Po;Huang, Tiao yuan Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.33-35
Resist-Related Damage on Ultrathin Gate Oxide During Plasma Ashing
Chien, C.-H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.33-35
AC Output Conductance of SOI MOSFET's and Impact on Analog Applications
Sinitsky, D. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.36-38
AC output conductance of SOI MOSFET's and impact on analog applications
Sinitsky, Dennis;Tu, Robert;Liang, Chunlin;Chan, Mansun;Bokor, Jeffrey;Hu, Chenming Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.36-38
AC Hot-Carrier-Induced Degradation in NMOSFET's with N~2O-Based Gate Dielectrics
Zeng, X. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.39-41
AC hot-carrier-induced degradation in NMOSFET's with N₂O-based gate dielectrics
Zeng, Xu;Lai, P. T.;Ng, W. T. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.39-41
Arsenic Deactivation Enhanced Diffusion and the Reverse Short-Channel Effect
Rousseau, P. M. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.42-44
Arsenic deactivation enhanced diffusion and the reverse short-channel effect
Rousseau, P. M.;Crowder, S. W.;Griffin, P. B.;Plummer, J. D. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.42-44
(A)guideline for designing chalcogenide-based glasses for threshold switching characteristics
Prakash, S.;Asokan, S.;Ghare, D. B. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.45-47
A Guideline for Designing Chalcogenide-Based Glasses for Threshold Switching Characteristics
Prakash, S. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1997 p.45-47
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