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이 학술지의 논문 검색
Determining Dominant Breakdown Mechanisms in InP HEMTs
Somerville, M. H.; Putnam, C. S.; del Alamo, J. A. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.565-567
New Salicidation Technology With Ni(Pt) Alloy for MOSFETs
Lee, P. S.; Pey, K. L.; Mangelinck, D.; Ding, J.; Chi, D. Z.; Chan, L. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.568-570
Gundlach, D. J.; Jia, L.; Jackson, T. N. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.571-573
Stewart, E. J.; Carroll, M. S.; Sturm, J. C. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.574-576
Alok, D.; Arnold, E.; Egloff, R.; Barone, J.; Murphy, J.; Conrad, R.; Burke, J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.577-578
Verzellesi, G.; Meneghesso, G.; Cavallini, A.; Zanoni, E. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.579-581
The Scaled Performance of Si/Si~1~-~xGe~x Resonant Tunneling Diodes
See, P.; Paul, D. J. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.582-584
The Impact of Postbreakdown Gate Leakage on MOSFET RF Performances
Pantisano, L.; Cheung, K. P. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.585-587
Analog Device Design for Low Power Mixed Mode Applications in Deep Submicron CMOS Technology
Deshpande, H. V.; Cheng, B.; Woo, J. C. S. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.588-590
Lochtefeld, A.; Antoniadis, D. A. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.591-593
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