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이 학술지의 논문 검색
AlGaN-GaN HEMTs on Patterned Silicon (111) Substrate
Jia, S.; Dikme, Y.; Wang, D.; Chen, K. J.; Lau, K. M.; Heuken, M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.130-132
A New ESD Protection Structure for High-Speed GaAs RF ICs
Sun, M.; Lu, Y. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.133-135
Li, J. C.; Chen, M.; Hitko, D. A.; Fields, C. H.; Shi, B.; Rajavel, R.; Asbeck, P. M.; Sokolich, M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.136-138
Cat-CVD SiN-Passivated AlGaN-GaN HFETs with Thin and High Al Composition Barrier Layers
Higashiwaki, M.; Hirose, N.; Matsui, T. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.139-141
Compact Logic NAND-Gate Based on a Single In-Plane Quantum-Wire Transistor
Reitzenstein, S.; Worschech, L.; Muller, C.; Forchel, A. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.142-144
Highly Linear Al~0~.~3Ga~0~.~7N-Al~0~.~0~5Ga~0~.~9~5N-GaN Composite-Channel HEMTs
Liu, J.; Zhou, Y.; Chu, R.; Cai, Y.; Chen, K. J.; Lau, K. M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.145-147
A Novel Program-Erasable High-kappa AlN-Si MIS Capacitor
Lai, C. H.; Chin, A.; Hung, B. F.; Cheng, C. F.; Yoo, W. J.; Li, M. F.; Zhu, C.; McAlister, S. P.; Kwong, D.-L. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.148-150
Characterization of Nickel Germanide Thin Films for Use as Contacts to P-Channel Germanium MOSFETs
Spann, J. Y.; Anderson, R. A.; Thornton, T. J.; Harris, G.; Thomas, S. G.; Tracy, C. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.151-153
High-Performance Nonvolatile HfO~2 Nanocrystal Memory
Lin, Y.-H.; Chien, C.-H.; Lin, C.-T.; Chang, C.-Y.; Lei, T.-F. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.154-156
Characteristics of HfO~2 pMOSFET Prepared by B~2H~6 Plasma Doping and KrF Excimer Laser Annealing
Baek, S.; Heo, S.; Choi, H.; Hwang, H. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2005 p.157-159
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