http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
이 학술지의 논문 검색
Compact Modeling of Quantum Transport in 55-nm MOSFETs at Cryogenic Temperatures
Chen, Yuefeng IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1392-1395
Cao, Lei IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1396-1399
Reverse Current Stress Induced Dynamic Ron of GaN HEMTs in Soft-Switching Mode
Sun, Shaoyu IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1400-1403
High VTH and Improved Gate Reliability in P-GaN Gate HEMTs With Oxidation Interlayer
Jia, Mao IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1404-1407
Endurance Improvement of GaN Bipolar Charge Trapping Memory With Back Gate Injection
Chen, Tao IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1408-1411
RF p -GaN HEMT With 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications
Zhou, Junmin IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1412-1415
Charge-Based Flicker Noise Modeling of GaN HEMTs Down to Cryogenic Temperatures
Nazir, Mohammad Sajid IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1416-1419
Sil, I. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1420-1423
Lu, Ke-Yu IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1424-1427
Fu, Shihao IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2023 p.1428-1431
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
구글의 Page Rank 알고리즘의 영향을 받아 전체 인용 네트워크에서 노드에 점수를 매기는 방식으로, 명성이 높은 저널에서의 인용은 고득점으로 평가되어 같은 인용이라도 보다 높게 평가 됩니다. 또한 저널의 주제분야, 질과 명성이 모두 직접 영향을 미치는 평가 지료라고 할 수 있습니다.
Scopus 데이터의 인용정보를 활용하여 산출되며, Scopus에 등재되지 않은 OA 저널평가에도 유용합니다.