http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
이 학술지의 논문 검색
Monolithic Heteroepitaxial PbTe-on-Si Infrared Focal Plane Array with 96 x 128 Pixels
Alchalabi, K. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.110-112
Device characteristics of the GaAs/InGaAsN
Chang, P.C.; Li, N.Y.; Baca, A.G.; Hou, H.Q.; Monier, C.; Laroche, J.R.; Ren, F.; Pearton, S.J. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2001 p.113-115
Device Characteristics of the GaAs/InGaAsN/GaAs P-N-P Double Heterojunction Bipolar Transistor
Chang, P. C. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.113-115
Hattendorf, M. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.116-118
An Implanted-Emitter 4H-SiC Bipolar Transistor with High Current Gain
Tang, Y. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.119-120
Fabrication of Laser-Annealed Poly-TFT by Forming a Si~1~-~xGe~-x Thermal Barrier
Choe, S.-M. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.121-123
1800 V NPN Bipolar Junction Transistors in 4H-SiC
Ryu, S.-H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.124-126
3100 V, Asymmetrical, Gate Turn-Off (GTO) Thyristors in 4H-SiC
Ryu, S.-H. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.127-129
Electrical Characteristics of 4.5 kV Implanted Anode 4H-SiC PIN Junction Rectifiers
Fedison, J. B. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2001 p.130-132
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
구글의 Page Rank 알고리즘의 영향을 받아 전체 인용 네트워크에서 노드에 점수를 매기는 방식으로, 명성이 높은 저널에서의 인용은 고득점으로 평가되어 같은 인용이라도 보다 높게 평가 됩니다. 또한 저널의 주제분야, 질과 명성이 모두 직접 영향을 미치는 평가 지료라고 할 수 있습니다.
Scopus 데이터의 인용정보를 활용하여 산출되며, Scopus에 등재되지 않은 OA 저널평가에도 유용합니다.