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    § ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
    ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ
    ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی
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    Comparison of Electroluminescent Dyes with the CN Groups in Different Positions of Molecular Skeleton = 분자골격의 다른위치에 CN기를 가진 유기전계발광 염료들의 비교

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    https://www.riss.kr/link?id=A3001886

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    적색 전계발광물질, D-CN 과 D-BCN을 설계, 합성하였다. 이들 물질은 유기전계발광 소자에서 평가되었다. 두 물질은 약 1%의 양자효율을 가지는 것으로 평가되었으며 전자주게 및 전자받게기에 의한 양쪽 극성의 성격을 지님을 알 수 있다. 발광피크는 D-CN의 경우 597 nm, D-BCN의 경우 630nm를 나타내었다.
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    적색 전계발광물질, D-CN 과 D-BCN을 설계, 합성하였다. 이들 물질은 유기전계발광 소자에서 평가되었다. 두 물질은 약 1%의 양자효율을 가지는 것으로 평가되었으며 전자주게 및 전자받게기에 ...

    적색 전계발광물질, D-CN 과 D-BCN을 설계, 합성하였다. 이들 물질은 유기전계발광 소자에서 평가되었다. 두 물질은 약 1%의 양자효율을 가지는 것으로 평가되었으며 전자주게 및 전자받게기에 의한 양쪽 극성의 성격을 지님을 알 수 있다. 발광피크는 D-CN의 경우 597 nm, D-BCN의 경우 630nm를 나타내었다.

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    다국어 초록 (Multilingual Abstract) kakao i 다국어 번역

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    Red electroluminescent materials, D-CN and D-BCN were designed and synthesized. These materials were evaluated in electroluminescent devices. Single-layer device was composed of Indium-tin-Oxide/ D-CN or D-BCN/ MgAg. Here D-CN and D-BCN materials were used as emission layers and estimated as about 1 % of quantum efficiencies in electroluminescent devices. These materials were evaluated as containing bipolar characteristics by the donor and acceptor groups. Maximum emission intensities of D-CN and D-BCN materials detected at 597 nm and 630 nm, which were due to the substituted positions of CN groups in molecular structures.
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    Red electroluminescent materials, D-CN and D-BCN were designed and synthesized. These materials were evaluated in electroluminescent devices. Single-layer device was composed of Indium-tin-Oxide/ D-CN or D-BCN/ MgAg. Here D-CN and D-BCN materials were...

    Red electroluminescent materials, D-CN and D-BCN were designed and synthesized. These materials were evaluated in electroluminescent devices. Single-layer device was composed of Indium-tin-Oxide/ D-CN or D-BCN/ MgAg. Here D-CN and D-BCN materials were used as emission layers and estimated as about 1 % of quantum efficiencies in electroluminescent devices. These materials were evaluated as containing bipolar characteristics by the donor and acceptor groups. Maximum emission intensities of D-CN and D-BCN materials detected at 597 nm and 630 nm, which were due to the substituted positions of CN groups in molecular structures.

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    목차 (Table of Contents)

    • I. Introduction
    • II. Experiment
    • 1. Materials
    • 2. Device fabrication and measurement
    • III. Results and Discussion
    • I. Introduction
    • II. Experiment
    • 1. Materials
    • 2. Device fabrication and measurement
    • III. Results and Discussion
    • IV. Conclusion
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