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1999년
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0021-4922
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1 REGULAR PAPERS SHORT NOTES AND REVIEW PAPERS
6836-6839 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Characterization of Etching Damage in Cl~2/H~2-Reactive-Ion-Etching of GaInAs/InP Heterostructure
A GaAs Micro Solar Cell with Output Voltage over 20 V