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    직류마그네트론 스펏터링법으로 성장시킨 TiN 확산방지막의 열적 안정성 = Thermal stability of TiN diffusion barrier deposited by DC magnetron sputtering

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    TiN thin films designed as a diffusion barrier for Cu metalization were deposited by DC magnetron sputtering method. The electrical properties and subsequent annealing effects were investigated to obtain an optimized TiN thin films. TiN films were deposited under the combined conditions of substrate temperature range of 200 - 400℃ and the N₂ partial pressure 2, 6, 10 mTorr. The low pressure annealing was performed at the temperature range of 500 - 900℃. The results analyzed by 4-point probe, XRD, and AES depth profiling of compositions indicated inter-diffusion of Cu and Si.

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    TiN thin films designed as a diffusion barrier for Cu metalization were deposited by DC magnetron sputtering method. The electrical properties and subsequent annealing effects were investigated to obtain an optimized TiN thin films. TiN films were dep...

    TiN thin films designed as a diffusion barrier for Cu metalization were deposited by DC magnetron sputtering method. The electrical properties and subsequent annealing effects were investigated to obtain an optimized TiN thin films. TiN films were deposited under the combined conditions of substrate temperature range of 200 - 400℃ and the N₂ partial pressure 2, 6, 10 mTorr. The low pressure annealing was performed at the temperature range of 500 - 900℃. The results analyzed by 4-point probe, XRD, and AES depth profiling of compositions indicated inter-diffusion of Cu and Si.

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