스퍼터링법을 이용한 OLED용 Al 음전극 제작|RISS 상세보기

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Al electrode for OLED was deposited by FTS (Facing Targets Sputtering) system which can deposit thin films with low substrate damage. The Al thin films were deposited on the cell (LiF/EML/HTL/Bottom electrode) as a function of working gas such as Ar or Ar+kr mixed gas. Also Al thin films were prepared with working gas pressure (1, 6 mTorr). The film thickness and I-V curve of Al/cell were measured and evaluated. In the results, when Al thin films were deposited using pure Ar gas, the turn-on voltage of Al/cell was about 11 V. And using the Ar:Kr($75\%:25\%$) mixed gas, the turn-on voltage of Al/cell decreased to about 7 V.

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참고문헌 (Reference)

1 "대향타겟스퍼터링법에 의한 FBAR용 AZO 박막의 제작" z 17 (z 17): 442-, 2004.

2 "Vacuum Evaporation" 1 : 1-, 1970.

3 "Polymeric anodes for improved polymer light-emitting diode performance" 70 (70): 2067-, 1997.

4 "Polymer ligh-emitting diodes with polyethylene dioxythiophene-polystyren e sulfonate as the transparent anode" 87 (87): 171-, 1997.

5 "Plasma diagnosis and low- substrate-temperature deposition of Ba ferrite films in a damage-free sputtering apparatus with mixed gases" (4) : 543-, 1998.

6 "Organic electroluminescent diodes" 12 913-, 1987.

7 "ITO films prepared by facing target sputtering system" 281-282 (281-282): 194-, 1996.

8 "FBAR용 ZnO/SiO2/Si 박막의 결정학적 특성에 관한 연구" 16 (16): 711-, 2003.

9 "Electroluminescence in organic crystals" 38 (38): 2042-, 1963.

10 "Electrical and structural properties of tin-doped oxide films deposited by DC sputtering at room temperature" 38 : 2921-, 1999.

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